포토레지스트

RZJ-304는포토레지스트소주 서홍이 생산한 정성이다포토레지스트에 대한 자세한 내용은 다음과 같습니다.
성분
주로 프로필렌글리콜 메틸에테르 초산 에스테르, 메틸페놀-포름알데히드 포름알데히드 수지(CAS-NO.9016-83-5, 농도 21%), 6-중질소-5, 6-이수소-5-산소대-1-나프탈렌산과 2, 3, 4-트리히드록시 디페닐 아세톤의 에스테르화물(CAS-NO.68510-93-0, 농도 6%) 등의 성분으로 구성된다.
성능 특성
광각 정밀도가 비교적 높음: 비교적 정교한 광각 도안을 실현할 수 있고, 선 너비와 간격은 비교적 작은 사이즈에 도달할 수 있으며, 광각 정밀도에 대한 요구가 비교적 높은 마이크로 나노 가공 공정, 예를 들면 집적 회로 제조, 마이크로 컴퓨터 전기 시스템 (MEMS) 가공 등 분야에 적용된다.
해상도 양호: 비교적 좋은 해상도를 갖추고 마스크판의 도형을 선명하게 기저로 옮길 수 있으며 복잡한 도형 구조에도 비교적 잘 나타낼 수 있어 고정밀도와 고성능을 가진 마이크로 나트륨 부품을 제조하는 데 도움이 된다.
공예 적응성이 강하다: 서로 다른 노출 에너지, 현상 시간 등 다양한 광각 공예 조건에 적응할 수 있다.일정한 공정 매개 변수 범위 내에서 안정적이고 신뢰할 수 있는 광각 효과를 얻을 수 있기 때문에 서로 다른 생산 환경과 공정 요구에서 비교적 좋은 응용 유연성을 가진다.
기저와의 결합력이 비교적 좋다: 흔히 볼 수 있는 반도체 기저재료, 예를 들면 실리콘 조각 등과 좋은 접착성을 가지고 있어 기저 표면에 튼튼하게 부착할 수 있으며 광각 과정에서 쉽게 나타나지 않는다포토레지스트광각 패턴의 무결성과 정확성을 보장하기 위해 벗겨지거나 분리되는 현상
기술 매개변수
점도: 25mpa・s와 50mpa・s 두 가지 규격으로 선택할 수 있다.
배합 현상액: RZX-3038.
추천 프로세스 조건
도포: 온도 23 ℃, 회전 도포 방식으로 1.0~3.5μm의 막 두께를 얻을 수 있다.
앞 건조: 열판 위 100 ℃ 조건에서 90초 동안 굽는다.
노출: 노출 에너지는 50~75mj/cm²입니다.
현상: 23 ℃ 에서 RZX-3038 현상액을 사용하여 현상시간 1분, 분사 또는 침전 방식을 사용할 수 있다.
세척: 이온제거수로 30초 동안 씻는다.
후구이: 열판에 120 ℃ 의 조건에서 120 초 동안 굽는다.