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보안, 선전, 광둥 성
Shenzhen Zetuo Biotechnology Co., Ltd
보안, 선전, 광둥 성
동물실험 연구 등에만 사용
| 기판 / 문 | 실리콘 (p 도핑) |
| 게이트 유전기 | 300 nm 열성장 이산화실리콘 |
| 소스-드레인 전극 | 플래티플 (100 nm) / 티타플플라티플플래티플플래티플플플라티플플라티플플라플라티플플라플라티플플플라플라티플플라플라티플플플라티 |
| 입금 방법 | 플라즈마 스플터링 |
| 패턴링 방법 | Photolithography는 |
영국 Ossila 칩 S403 OFET 테스트 칩 S411
Ossila 고밀도 기판은 여러 가지 방법으로 연구에 도움이 될 수 있는 20 개의 OFET을 갖추고 있습니다.첫째, 생산 비용은 낮은 밀도 동등물에 비해 기판당 OFET의 높은 양으로 인해 감소합니다.이것은 더 많은 수의 OFET를 생산하고 테스트할 수 있도록 예산을 확장하는 데 도움이 될 수 있습니다.
둘째, OFET 생산은 훨씬 더 빠르고 작은 과정입니다.조립된 고밀도 OFET을 사용할 때 제조 시간이 최대 50% 줄어들어 장치를 테스트하는 데 더 많은 시간을 절약합니다.이러한 결과로 더 많은 양의 통계를 생성할 수 있으며, 이는 더 견고하고 신뢰할 수 있는 연구를 제공할 수 있습니다.
영국 Ossila 칩 S403 OFET 테스트 칩 S411
또한, 각 제조와 함께 더 많은 수의 OFET가 생산되기 때문에 OFET 변동성이 감소합니다.Ossila에서 우리는 일관되게 고품질의 기판을 생산하기 위해 제조 과정을 최적화했습니다.이 관점에서, 자신의 제조보다는 우리의 전제조 기판을 사용하면 연구 프로젝트를 이용하기 위해 더 신뢰할 수 있는 데이터를 수집할 수 있습니다.
조립된 고밀도 기판은 대량의 OFET의 빠르고 효율적인 테스트를 가능하게 하기 때문에 이동성 테스트에 이상적입니다.Ossila 고밀도 OFET 테스트 보드는 이러한 목적을 위해 설계되었습니다.
기계적 프로브 스테이션을 사용하여 OFET를 테스트하는 것이 민감하고 시간이 소요되는 과정이며, 고밀도 테스트 보드는 한 번에 여러 개의 OFET을 테스트할 수 있습니다.기판을 테스트 슬롯에 단단순히 기기판을 단단단순히 기기기판을 테스트 슬롯에 단단순히 기기기판을 단단순히 단순히 기기기판을 테스트 슬롯에 기판을 단순히 단순히 기판을 단순히
영국 Ossila 칩 S403 OFET 테스트 칩 S411
보드는 안정적이고 정확한 낮은 전류 테스트를 제공하기 위해 외부 소음, 누출 전류 및 방황 용량을 줄이기 위해 inligently 설계되었습니다.
Ossila 고밀도 OFET 테스트 보드는 여러 OFET의 신속하고 신뢰할 수 있는 테스트를 위해 설계되었습니다.
우리는 절연 300 nm 실리콘 산화물 상단 층으로 p 도핑 실리콘 기판을 제조합니다.플래티플라티플플래티플플래티플플래티플플래티플플플라티플플래티플플래티플플플라티플플라플라티플플플라티플플라플라티플플플라티플따라서 기판의 가장자리가 전도적이고 실리콘 산화물 층으로 커버되지 않는 것이 필수적입니다.그렇지 않으면 실리콘 산화물은 사용하기 전에 기판의 측면에서 이이이이동해야 합니다.
우리의 조립된 실리콘 / 실리콘 산화물 기판의 구조.
Ossila에서 우리는 가장자리가 전도성이 높고 기판이 즉시 사용할 준비가 되도록 제조 과정을 최적화했습니다.
우리는 5 nm 티타늄과 100 nm 플래티우리는 우리는 고밀도 기판을 제조합니다.
각 기판 유형의 개별 세부 사항과 차원 도면은 아래를 참조하십시오.
선형 1 mm x 2 µm 변수 채널 길이 기판 (S403)
| 기하학 | 선형 |
| 배열 | 20 OFET, 5 채널 폭 |
| 채널 폭 | 1개의 mm |
| 채널 길이 | 2, 4, 6, 8, and 10 µm |
1mm x 2µm 기판의 차원 그림.
Interdigitated 22.6 mm x 5 µm 일정 채널 길이 기판 (S411)
| 기하학 | 인터디지털 |
| 배열 | 20 개의 동일한 OFET |
| 채널 폭 | 22.6 mm |
| 채널 길이 | 5 µm |
고밀도 기판에 22.6 mm x 5 µm 장치 중 하나의 차원 그림.