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상해시 송강구 용북로 88호 5호동 208실
상해증준실업유한공사
개요
TH521 반도체 파라미터 분석기는 전기 전자 회로 설계자가 자신의 응용에 적합한 전력 부품을 선택하여 전기 전자 제품이 * 큰 가치를 발휘할 수 있도록 도와주는 회로 설계를 위한 종합 솔루션이다.IV 매개변수 (뚫기 전압 및 전도 저항), 3단 FET 커패시터, 그리드 전하 및 전력 손실을 포함하여 다양한 작업 조건에서 부품의 모든 관련 매개변수를 평가할 수 있습니다.회로 설계를 위한 TH521 시리즈 반도체 파라미터 분석기는 완전한 곡선 추적기 기능과 기타 기능을 갖추고 있다.
제품 정보
TH521 반도체 파라미터 분석기소개:
반도체 파라미터 분석기TH521-35-1800C전기 전자 회로 설계자가 자신의 응용에 적합한 전력 부품을 선택하여 전기 전자 제품이 발휘될 수 있도록 도와주는 회로 설계에 사용되는 종합 솔루션입니다.*대가치.다른 작업 조건에서 부품과 관련된 모든 매개변수를 평가할 수 있습니다.IV매개변수 (전압 및 전도 저항 뚫기), 3단FET는용량, 그리드 전하 및 전력 손실.회로 설계용TH521은시리즈 반도체 파라미터 분석기는 완전한 곡선 추적기 기능과 기타 기능을 가지고 있다.
반도체 파라미터 분석기TH521-35-1800C에 대한 자세한 설명
TH521은시리즈 반도체 매개변수 분석기 소개:
TH521 시리즈 반도체 파라미터 분석기는 전기 전자 회로 설계자가 자신의 응용에 적합한 전력 부품을 선택하여 전기 전자 제품이 발휘될 수 있도록 도와주는 회로 설계를 위한 종합 솔루션이다*대가치.다른 작업 조건에서 부품과 관련된 모든 매개변수를 평가할 수 있습니다.IV매개변수 (전압 및 전도 저항 뚫기), 3단FET는용량, 그리드 전하 및 전력 손실.회로 설계용TH521은시리즈 반도체 파라미터 분석기는 완전한 곡선 추적기 기능과 기타 기능을 가지고 있다.
TH521시리즈 반도체 매개변수 분석기의 특징:
TH521은의 일반 특성
• 최대3.5kV/1800A넓은 작업 범위
• 에서 -50 °C에 +250 °C완전 자동 고속 열 테스트
• 전력 장치 (반도체 및 부품) 의 기술 데이터 자동 생성
• 데이터 손실을 방지하는 자동 로깅 기능
• AI는보조 작성파이Python테스트 스크립트
TH521 IV키트 기능
• 패키징 및 웨이퍼 부품의 전자동 고속IV측정 （론은、BV는, 누설,Vth는、Vsat는등)
• 좁다IV펄스 너비 (*좁다 10 μs) 부품의 자체 발열을 방지하고 부품 실사를 더욱 정확하게 테스트 인터 성능
• 오실로스코프 뷰 (시역 뷰) 는 실제 전압을 모니터링합니다./정확성을 위해 전류 펄스 파형 정확한 측정
• 유연하게 확장하고 추가할 수 있는 구성CV는와Qg는, 전류 범위를20 A확장 대상200A、600 A또는1800 A
TH521은전체 키트 기능
• IV키트의 모든 기능
• 측정 패키지는3.5 kV트랜지스터 입력, 출력 및 역방향 전송 용량
（Ciss는、코스는、Crss는、Cies는、Coes는、크레스는) 및 격자선 저항(Rg는）
• 패키지된 부품의 그리드 전하 측정(Qg는) 커브
• 전력 손실 계산 (전도, 구동 및 스위치 손실)
TH521은시리즈 반도체 파라미터 분석기 기술 파라미터:
MCSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (% MV + MV） |
*대전류 |
200mV |
100nV의 |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A는 |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A는 |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A는 |
40V는 |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A는 |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
10μA |
10pA의 |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V는 |
100μA |
100pA의 |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V는 |
1mA |
1nA는 |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V는 |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V는 |
100mA의 |
100nA의 |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V는 |
1A는 |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V는 |
일반 해상도 |
6½자리 |
||
*대전압 |
±30V는 |
||
*소전류 |
10pA의 |
||
펄스*공중 점유율을 크게 차지하다. |
5%(피크 초과100mA의시） |
||
펄스*작은 너비 |
10μs |
||
펄스*큰 폭 |
100ms(피크 초과100mA의시） |
||
직류*대전류 |
±100mA의 |
||
펄스*피크 |
±1A는 |
||
펄스*큰 기본값 |
±50mA의(피크 초과100mA의시） |
||
HCSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (% MV + MV） |
*대전류 |
200mV |
100nV의 |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A는 |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A는 |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A는 |
40V는 |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A는 |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
10μA |
10pA의 |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40V는 |
100μA |
100pA의 |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40V는 |
1mA |
1nA는 |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40V는 |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40V는 |
100mA의 |
100nA의 |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40V는 |
1A는 |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40V는 |
20A는 |
20μA |
±(0.4 + 2E-3+Vo는 x 1E-4) |
20V |
일반 해상도 |
6½자리 |
||
*대전압 |
±40V는 |
||
*소전류 |
10pA의 |
||
펄스*공중 점유율을 크게 차지하다. |
1%(피크 초과1A는시） |
||
펄스*작은 너비 |
50μs |
||
펄스*큰 폭 |
1ms(피크 초과1A는시） |
||
직류*대전류 |
±100mA의 |
||
펄스*피크 |
±20A는 |
||
펄스*큰 기본값 |
±100mA의(피크 초과1A는시） |
||
MPSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (% MV + MV） |
*대전류 |
100mV의 |
100nV의 |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100mA의 |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100mA의 |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100mA의 |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
1nA는 |
1fA는 |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA의 |
10fA는 |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA의 |
100fA의 |
±(0.05 + 2E-11 + Vo는 x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA의 |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA의 |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1mA |
1nA는 |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100mA의 |
100nA의 |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20V |
일반 해상도 |
6½자리 |
||
*대전압 |
±100V |
||
*소전류 |
1fA는 |
||
HVSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도±(%+mV) |
*대전류 |
200V |
200uV의 |
±(0.03+40) |
10mA의 |
500V |
500uV의 |
±(0.03+100) |
10mA의 |
1500V |
1.5mV의 |
±(0.03+300) |
10mA의 |
3500V |
3.5mV의 |
±(0.03+600) |
5mA의 |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
10nA의 |
10fA는 |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA의 |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
일반 해상도 |
6½자리 |
||
*대전압 |
±3500V |
||
*소전류 |
10fA는 |
||
UHCU는 | ||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | ||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
펄스*공중 점유율을 크게 차지하다. |
0.4%（600A측정);0.1%（1800A측정 거리） |
|
펄스*작은 너비 |
10μs |
|
펄스*큰 폭 |
1ms（600A측정);500μs（1800A측정 거리） |
|
펄스*피크 |
200A、600A、1800A측정 거리 |
|
MFCMU는 | ||
|
빈도 |
주파수 범위 |
1kHz ~ 10MHz |
*소주파수 해상도 |
1mHz의 |
|
주파수 정밀도 |
±0.05% |
|
|
AC는레벨 |
레벨 범위 |
0~250mV |
해상도 |
0.1mVrms의 |
|
정밀도 |
±(10%*값 설정+ 2mV) |
|
|
DC는편향 |
범위 |
0~±25V는 |
해상도 |
1mV |
|
정확도 |
1%*전압 설정+ 8mV |
|
출력 임피던스 |
100Ω |
|
테스트 측 구성 |
사단쌍 |
|
테스트 시간 |
빠르게2.5ms의중속90ms저속220ms |
|
커패시터 |
표시 범위 |
0.00001pF~9.99999F |
*높은 정확도 |
0.05% |
|
TH521은시리즈 반도체 매개변수 분석기 선택 테이블:
TH521-35-20 |
IV: 3500V/20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A의 CV: 10MHz의 Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A의 CV: 10MHz의 Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A의 CV: 10MHz의 Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A의 CV: 10MHz의 Qg |
TH521은시리즈 반도체 파라미터 분석기 응용 프로그램:
• 반도체 전력 부품
다이오드, 삼극관,MOSFET은、IGBT는, 트랜지스터, 집적회로, 광전자칩 등 기생용량 테스트,C-V는특성 분석
• 반도체 재료
웨이퍼 컷,C-V는특성 분석
• 액정 재료
탄성 상수 분석, 액정 절단
• 커패시터 어셈블리
콘덴서C-V는특성 테스트 및 분석, 접점식 센서 테스트 분석
