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    상해시 가정구 조안도로 2038호 화탁빌딩 410실

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세미크론 스페어 스페어 SKKT 570/16E

협상 가능업데이트05/10
모델
제조업체의 성격
생산자
제품 카테고리
원산지 Place of Origin

개요

예비품 예비품 독일 EGE-Elektronik 주요 제품은 유량 컨트롤러, 액위 컨트롤러, 전감식 접근 스위치, 커패시터식 접근 스위치, 광전 센서, 적외선 탐지기 1976년 이래, 에그 전자 Spezial-센서 유한회사는 이미 특수 용도의 센서를 개발하고 생산하여 각 분야의 자동화 응용에 사용한다.이 회사의 생산자.이 포트폴리오에는 유동 컨트롤러, 적외선, 광전, 초음파 센서, 접점식 접근 스위치, 광 장애 및.세미크론 스페어 스페어 SKKT 570/16E

제품 정보

세미크론 스페어 스페어 SKKT 570/16E

세미크론 스페어 스페어 SKKT 570/16E

전자E62.S23-204M30

SOLARTRON은DP 5 P 971135-3

MICRO-EPSILON은DS05(15)회전 속도 센서

PROTEUS INDUSTRIES INC는9WSPKV50G-1-003

로버트 스탈 슈미트BD 4R9S/16는

MICRO-EPSILON은WDS-2500-Z100-CA-P는위치 센서

SOLARTRON은911173-3 교류 PSIM

SEMIKRON은SKKT 570/16E는제어 실리콘

SOLARTRON은911174-3의 RS232IMMK2

EBRO ARMATUREN은E110

HYDROTECHNIK은33VH-73-35.V012 대체

REXROTH는4WE6J62/EG24N9K4는

SOLARTRON은AX 1.0 SH T

REXROTH는DBDS6K1X 315는

BK 미코TK-BKM-8A-21.015393검전기

EUROTHERM은EPOWER/3PH-500A/600V/230V/XXX/XXX/XXX/OO/XX/XX/XX/XX/XXX/XX/XXX/XXX/QS/FRA/500A/440V/3P/3D/XX

MOTRONA는FU210은신호 변환기

CARROLL & MEYNELL은MVT9.9K / 12A-3E

PREELECTRONICS는4114

로터UD 1205/1434740-013-7

PREELECTRONICS는4501

REO_RROVIB의ID 615830

프로그램101-800110

EBRO ARMATUREN은E65는

밀턴 로이GA120S6N3V+모터 LS56M/T

GAI-TRONICS는701-307

GAI-TRONICS는13302-002

GAI-TRONICS는12504-004

ZENTRO-ELEKTRTK는8899-2BE 98228899-102

ROEHM은42175

ROEMHELD는Y1895-203-LM-90

KROHNE는K800/R는

KROHNE는KQ-1407-ZY1063 0-14PH, 0-70℃ 4-20MA

ING.FRANZ 크로메케21025

KROMSCHRODER는IFW 15-T 84359010 변압기 불포함

ING.FRANZ 크로메케210-25

FIBRO는2961.70.050.200도판

KROMSCHRODER는TC 410-10T

로터리 ENCODEROVW2-2048-2MD는

PULSOTRONIC는622330 KJ2-M12MB65-DPS-V2 대체

FIBRO는EM.18.0750.9.132.02.0.0.0

HYDROTECHNIK은3948-04-01.00

HEITRONICSKT19.43

REXROTH는R910985329

폴리트론8344200

PROTON-ELECTROTEX는D161-250-10(10개만 구매 가능)

GAI-TRONICS는13314-002

KROMSCHRODER는VGBF 50F40-3Z는

로켓1PLH225-35DE10B

KROMSCHRODER는VGBF 80F40-3Z는

MICRO-EPSILON은TIM160은

STARS ELEKTRONIK은TVL-1 A230G 04/01

AVS-ROMER는617112 EGV-1027/V2-AH9-1/2CG-024

로랜드S0047000 E20-4P-PR-S

로즈+크리거FNA5023TA0145는

MICRO-EPSILON은ILD1900

AVS-ROMER는613558 egv-111-a 78-1 cg-00

ELSTER-INSTROMET은RB-TI는

MICRO-EPSILON은ILD1900LL

BK 미코BKM91PB-21의

유권자 업무 브리핑KSL250-2는

ELETTROTEC는NTB80CC 710-370-01300

ELTROTEC는CLS-K-63는

로랜드P42AGS는

DROPSA는3405413

로시는MR V 125 UO2A는

ROEMHELD는3829-234

폴리트론5720/8344200/ 8344200

ROEHM은898695

ROEHM은462405

FRONIUS는일교-랑연연 0360054 2021-08-11 05: 05: 44

EUROTHERM은6180 A

크루제트U83161.8 SP 41910 40\\1A\\AC125V

Prominent는S3BAH040830PVTS170R000의

EUROTHERM은EPOWER / 1PH-100A / 600V조작기

STROAMG은227-92363 NFF 100

REXROTH는3842532009

로랜드PW42AGS는

PROFIMESS는PT-01.3.1.1.99.0.80

ARO는F512LM

Prominent는142069

ROTECH는CR3AAZ0은위치제한 스위치

CARANE 환경델타-5SWDP

PR 전자TP.TI-SU1-RIW는

ROTHENBERGER는RP50-S는

MICRO-EPSILON은TIM160S는

PAR-GROUP은6507-25ID

PAR-GROUP은6507-44ID 15m 정수 배

로랜드239504

ROHM는60906가공소재 고정장치

OMRON은G6D-F4B DC24V

PROCEMEX는530

PROCEMEX는P0527

PROCEMEX는999

EUROFLUID는EVM103AX3F는

AG。140-00706 92 NE - 390 FV캠 스위치

HYDROPA는DS-302-55

에창133-5-72 DN25 PN16/5

로랜드IE20-30GS

ELTROTEC는CLS-K-63는

로랜드IS20-30GS

UNITRO는ME16-P 논리적 I/R2 220/220VDC (100278)신호계전기

FROMM에서P32.8150 PA6GF30

FROMM에서P32.0213 ECI 42.40 18VDC

FROMM에서477136 V665212

FROMM에서N51.1127 F-NR.2256516

로랜드SCI20S-GG의

Prominent는GMXA1602NPT20000UA10300EN

로랜드I20-2-PN-S는

PROFIROLL은41412722000지지 롤러

PROFIROLL은41417742000지지축

MEGATRON은KT701K 500N 2410Z

PROFIROLL은41425740200지지 롤러

POWERTRONIC는11PM04100100 P688W

주요 인물S302236 11 URD 273 TTF 1800 대체(N300737 단종)

PAR-GROUP은6507-25ID

Prominent는GAMMA_XL GXLAEU0450PVT20000UA1000EN替代

PAR-GROUP은6507-44ID

KROHNE는DK800/R/K1의

MICRO-EPSILON은ILD1320-200

마이크로 감지기SSC/0P-0E는광전자 스위치

ROEMHELD는18951330M90

HYDROTECHNIK은3403-53-G3.46압력 감지기

ROEMHELD는1895433VDH35

PULSOTRONIC는622330 KJ2-M12MB65-DPS-V2 대체

HYDROTECHNIC의HTF/2701-30-76.5

ROEMHELD는1895333VDH35

JAY ELECTRONIQUE는401RSEF41000 RSEF41-0

KROHNE는DK800/R/K1의

로시는WORM 기어모터 고양이.모터 없이 A MR V 125 UO2A- 28X250- 32 설치 위치 B3감속기

GROSCHOPP는WK1153302

SCHROEDER는K10은

ELERO는761906301 경제 1

SOLARTRON은WG/10/SJ는센서

전자E62.R16-333L30커패시터

ROHM는577249+771705

PROFIROLL은41412722000지지 롤러

PROCEMEX는530

PROFIROLL은41417742000지지축

ELERO는761850501 경제 01

ROEMHELD는1942010

REXROTH는R930003503

전자E62.G10-202B20 2F/4000V

전자E62.H15-402B20 4F/4000V

EROGLU는406.02.13.100.ERP

EROGLU는406.02.13.70.ERP

EROGLU는406.02.20.70.ERP

EROGLU는406.20.45.IK

PROFIROLL은41425740200지지 롤러

전자E50.N15-304N61커패시터

전자E50.N15-304N61커패시터

AUTOROTOR는T55-09-270

전자E50.N15-304N61커패시터

전자E50.N15-304N61커패시터

HYDRO-AIR는110 102이음매 를 빨리 바꾸다

AG。155-00001 0,23_GHE_553_DFV50위치제한 스위치

HYDRO-AIR는120 102이음매 를 빨리 바꾸다

MICRO-EPSILON은DS-1은

HYDRO-AIR는110 104이음매 를 빨리 바꾸다

MICRO-EPSILON은DZ-140은

HYDRO-AIR는120 104이음매 를 빨리 바꾸다

HYDRO-AIR는110 103 - 39 D 1420/3 G1/2 " - SONDERFARBE 골드이음매 를 빨리 바꾸다

HYDRO-AIR는120 103이음매 를 빨리 바꾸다

HYDRO-AIR는GE-S10/G3/8는이음매 를 빨리 바꾸다

HYDRO-AIR는G1/2 110103이음매 를 빨리 바꾸다

OMRON은G9SA-501 AC/DC24는

HYDROPA는DS-302-55

OMRON은OMC에 의해 E3Z-D87

SOLARTRON은9740005-3 DJ10P

OMRON은OMC에 의해 E3Z-T86

OMRON은E2B-M18KN16-M1-B1 OMS는

OMRON은R88D-KT75F는

크루제트83169406(CD7, KABEL 0, 5M LINKS) 참고 수량

프로테우스08012BN16 0–10 VDC 4–20 MA

PR 전자5335D

AG。51-323BM5Z-299G 아니오:152567 1:336

AG。151-05160 51_6.5_NM1Z_899

OMRON은R88D-KT75F-Z는

OMRON은E2B-M12KS04-M1-B1

OMRON은R88D-KT75F는

AVTRON은ALV8L1G6P000S

ARCOTRONICS는C878BF35150AA0J부터 434개

SOLARTRON은AX/2.5/S

CAPTRON은고양이-200-21G5/VA-214

COMATROL은CP200-3-B-0-E-C-XXX는

PR 전자TP.TI-SU1-RIW는

AUTOROTOR는T55-09-270

AUTOROTOR는T55-09-270 41997

JWFROEHLICH는458511

AG。151-05095 51_75_BMK_499P

전자E33.D93-501615 220001 대체

세미크론 스페어 스페어 SKKT 570/16E

세미크론 스페어 스페어 SKKT 570/16E

실리콘의 세 극을 제어할 수 있는 방법을 감별하는 것은 간단하다. P-N 매듭의 원리에 따라 만용계로 세 극 사이의 저항치를 측정하면 된다.

양극과 음극 사이의 양방향과 역방향 저항은 수백 킬로 유로 이상이고, 양극과 제어극 사이의 양방향과 역방향 저항은 수백 킬로 유로 이상이다 (그들 사이에는 두 개의 P-N 매듭이 있고, 방향이 반대이기 때문에 양극과 제어극의 양방향 모두 통하지 않는다)[1].

제어극과 음극 사이에는 P-N 매듭이 있기 때문에 양방향 저항은 대략 몇 유로-수백 유로의 범위이며, 역방향 저항은 양방향 저항보다 크다.그러나 제어극 다이오드의 특성은 그다지 이상적이지 않다. 역방향은 차단 상태가 아니라 비교적 큰 전류가 통과할 수 있다. 따라서 때때로 제어극 역방향 저항이 비교적 작다고 측정되는 것은 제어극 특성이 좋지 않다는 것을 설명할 수 없다.또 제어극의 양반향 저항을 측정할 때 만용계는 R * 10 또는 R * 1 기어에 놓아 전압이 너무 높아 제어극이 역방향으로 뚫리는 것을 방지해야 한다.

측정된 컴포넌트의 음양극 양방향 단락, 또는 양극과 제어극의 단락, 또는 제어극과 음극의 역방향 단락, 또는 제어극과 음극의 단락은 컴포넌트가 손상되었음을 나타냅니다.

제어 실리콘은 제어 실리콘 정류 소자의 약칭으로 세 개의 PN매듭을 가진 4층 구조의 고출력 반도체 부품이다.실제로 실리콘을 제어할 수 있는 기능은 정류뿐만 아니라 무촉점 스위치로 사용하여 회로를 빠르게 연결하거나 차단할 수 있으며, 직류전기를 교류전기로 만드는 역변, 한 주파수의 교류전기를 다른 주파수의 교류전기로 만드는 등등을 실현할 수 있다.실리콘을 제어할 수 있는 것은 다른 반도체 부품과 마찬가지로 부피가 작고 효율이 높으며 안정성이 좋고 작업이 믿을 만하다는 장점이 있다.그것의 출현으로 반도체 기술은 약전 분야에서 강전 분야로 진입하여 공업, 농업, 교통 운수, 군사 과학 연구에서 상업, 민용 전기 등 방면에서 앞다투어 채용하는 부품이 되었다.

주요 생산업체

방송

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주요 제조업체 브랜드:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX ,SANREX,SANKEN ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,JBL기다려.

용어

방송

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IT(AV) - 평균 전류 흐름

VRRM - 역반복 피크 전압 IDRM - 단태 반복 피크 전류

ITSM – 한 주파 동안 서지 전류가 반복되지 않음

VTM – 최대 전력 공급

IGT-문극 트리거 전류

VGT-문극 트리거 전압

IH - 유지 전류

dv/dt-단상 전압 임계 상승률

di/dt-통태 전류 임계 상승률

Rthjc - 결각 열 저항

VI SO - 모듈 절연 전압

Tjm - 정격 결온

VDRM - 중단 반복 피크 전압

IRRM - 역반복 피크 전류

IF(AV) - 양방향 평균 전류

PGM - 도어 피크 전력

PG- - - 게이트 평균 전력

확장 읽기

방송

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1. 게이트의 노이즈 레벨

전기 소음이 있는 환경에서 울타리의 소음 전압이 VGT를 초과하고 제어 가능한 실리콘 (트랜지스터) 내부의 양의 피드백을 자극하는 충분한 울타리 전류가 있으면 도통도 트리거됩니다.

설치를 적용할 때는 먼저 격자선 외부의 연결을 최대한 짧게 설정합니다.연결이 짧을 수 없는 경우 교수선이나 차폐선을 사용하여 간섭의 침입을 줄일 수 있습니다.그런 다음 G와 MT1 사이에 1K저항을 추가하여 민감도를 낮추거나 100nf 용량을 병렬하여 고주파 노이즈를 필터링할 수 있습니다.

2. 변환 전압 변화율 정보

큰 전기 감성 부하를 구동할 때, 부하 전압과 전류 사이에 매우 큰 상이가 있다.부하 전류가 0을 넘으면 양방향 실리콘 (트랜지스터) 이 방향을 바꾸기 시작하지만 서로 이동하는 관계로 인해 전압은 0이 되지 않을 것이다.그래서 실리콘 (트랜지스터) 을 제어할 수 있도록 이 전압을 신속하게 꺼야 한다.이때 전환전압의 변화가 허용치를 초과할 경우 결간의 전하를 방출할 시간이 부족하여 쌍방향제어규소 (트랜지스터) 를 도통상태로 되돌려야 한다.

이러한 문제를 극복하기 위해 단자 MT1과 MT2 사이에 RC 네트워크를 추가하여 전압의 변화를 제한하여 오류 트리거를 방지할 수 있습니다.일반적으로 저항은 100R, 용량은 100nF를 취한다. 이 저항은 생략할 수 없다는 점에 유의해야 한다.

3. 전환 전류 변화율 정보

부하 전류가 증가하고 전원 주파수가 높아지거나 전원이 비정현파인 경우 변환 전류 변화율이 높아지는데, 이는 감성 부하 상황에서 가장 쉽게 발생하여 부품의 손상을 초래하기 쉽다.이때 부하 회로에서 몇 밀리 형의 공기 감지를 연결할 수 있다.

4, 제어 실리콘 (트랜지스터) 회로 전압 변화율 DVD/DT 정보

마감 상태의 양방향 실리콘 (트랜지스터) 양쪽 끝에 VDFM보다 작은 고속 변화 전압을 추가하면 내부 용량의 전류가 실리콘 (트랜지스터) 을 제어할 수 있도록 충분한 게이트 전류를 생성합니다.이것은 특히 고온에서 심각합니다. 이 경우 MT1과 MT2 사이에 RC 버퍼 회로를 추가하여 VD/DT를 제한하거나 고속 제어 실리콘 (트랜지스터) 을 사용할 수 있습니다.

5. 연속 피크 회로 전압 VDRM 정보

전원이 비정상적인 경우, 제어 가능한 실리콘 (트랜지스터) 양쪽의 전압은 연속 피크 회로 전압 VDRM의 최대치를 초과하며, 이때 제어 가능한 실리콘 (트랜지스터) 의 누전 전류가 증가하여 관통된다.만약 부하가 매우 큰 서지 전류를 허용할 수 있다면, 실리콘 조각의 국부적인 전류 밀도는 매우 높아서 이 작은 부분을 선도적으로 통하게 할 것이다.칩의 소실이나 손상을 초래하다.또한 백열등, 용성 부하 또는 단락 보호 회로는 비교적 높은 서지 전류를 생성하는데, 이때 필터와 펜치 회로를 추가하여 스파이크 (스퍼트) 전압이 양방향 제어 실리콘 (트랜지스터) 에 추가되는 것을 방지할 수 있다 [2].

실리콘의 세 극을 제어할 수 있는 방법을 감별하는 것은 간단하다. P-N 매듭의 원리에 따라 만용계로 세 극 사이의 저항치를 측정하면 된다.

양극과 음극 사이의 양방향과 역방향 저항은 수백 킬로 유로 이상이고, 양극과 제어극 사이의 양방향과 역방향 저항은 수백 킬로 유로 이상이다 (그들 사이에는 두 개의 P-N 매듭이 있고, 방향이 반대이기 때문에 양극과 제어극의 양방향 모두 통하지 않는다)[1].

제어극과 음극 사이에는 P-N 매듭이 있기 때문에 양방향 저항은 대략 몇 유로-수백 유로의 범위이며, 역방향 저항은 양방향 저항보다 크다.그러나 제어극 다이오드의 특성은 그다지 이상적이지 않다. 역방향은 차단 상태가 아니다. 비교적 큰 전류가 통과할 수 있다. 따라서 때때로 제어극 역방향 저항이 비교적 작다는 것을 측정할 수 있다. 이것은 제어극 특성이 좋지 않다는 것을 설명할 수 없다.또 제어극의 양반향 저항을 측정할 때 만용계는 R * 10 또는 R * 1 기어에 놓아 전압이 너무 높아 제어극이 역방향으로 뚫리는 것을 방지해야 한다.

측정된 컴포넌트의 음양극 양방향 단락, 또는 양극과 제어극의 단락, 또는 제어극과 음극의 역방향 단락, 또는 제어극과 음극의 단락은 컴포넌트가 손상되었음을 나타냅니다.

제어 실리콘은 제어 실리콘 정류 소자의 약칭으로 세 개의 PN매듭을 가진 4층 구조의 고출력 반도체 부품이다.실제로 실리콘을 제어할 수 있는 기능은 정류뿐만 아니라 무촉점 스위치로 사용하여 회로를 빠르게 연결하거나 차단할 수 있으며, 직류전기를 교류전기로 만드는 역변, 한 주파수의 교류전기를 다른 주파수의 교류전기로 만드는 등등을 실현할 수 있다.실리콘을 제어할 수 있는 것은 다른 반도체 부품과 마찬가지로 부피가 작고 효율이 높으며 안정성이 좋고 작업이 믿을 만하다는 장점이 있다.그것의 출현으로 반도체 기술은 약전 분야에서 강전 분야로 진입하여 공업, 농업, 교통 운수, 군사 과학 연구에서 상업, 민용 전기 등 방면에서 앞다투어 채용하는 부품이 되었다.

주요 생산업체

방송

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주요 제조업체 브랜드:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX ,SANREX,SANKEN ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,JBL기다려.

용어

방송

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IT(AV) - 평균 전류 흐름

VRRM - 역반복 피크 전압 IDRM - 단태 반복 피크 전류

ITSM – 한 주파 동안 서지 전류가 반복되지 않음

VTM – 최대 전력 공급

IGT-문극 트리거 전류

VGT-문극 트리거 전압

IH - 유지 전류

dv/dt-단상 전압 임계 상승률

di/dt-통태 전류 임계 상승률

Rthjc - 결각 열 저항

VI SO - 모듈 절연 전압

Tjm - 정격 결온

VDRM - 중단 반복 피크 전압

IRRM - 역반복 피크 전류

IF(AV) - 양방향 평균 전류

PGM - 도어 피크 전력

PG- - - 게이트 평균 전력

확장 읽기

방송

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1. 게이트의 노이즈 레벨

전기 소음이 있는 환경에서 울타리의 소음 전압이 VGT를 초과하고 제어 가능한 실리콘 (트랜지스터) 내부의 양의 피드백을 자극하는 충분한 울타리 전류가 있으면 도통도 트리거됩니다.

설치를 적용할 때는 먼저 격자선 외부의 연결을 최대한 짧게 설정합니다.연결이 짧을 수 없는 경우 교수선이나 차폐선을 사용하여 간섭의 침입을 줄일 수 있습니다.그런 다음 G와 MT1 사이에 1K저항을 추가하여 민감도를 낮추거나 100nf 용량을 병렬하여 고주파 노이즈를 필터링할 수 있습니다.

2. 변환 전압 변화율 정보

큰 전기 감성 부하를 구동할 때, 부하 전압과 전류 사이에 매우 큰 상이가 있다.부하 전류가 0을 넘으면 양방향 실리콘 (트랜지스터) 이 방향을 바꾸기 시작하지만 서로 이동하는 관계로 인해 전압은 0이 되지 않을 것이다.그래서 실리콘 (트랜지스터) 을 제어할 수 있도록 이 전압을 신속하게 꺼야 한다.이때 전환전압의 변화가 허용치를 초과할 경우 결간의 전하를 방출할 시간이 부족하여 쌍방향제어규소 (트랜지스터) 를 도통상태로 되돌려야 한다.

이러한 문제를 극복하기 위해 단자 MT1과 MT2 사이에 RC 네트워크를 추가하여 전압의 변화를 제한하여 오류 트리거를 방지할 수 있습니다.일반적으로 저항은 100R, 용량은 100nF를 취한다. 이 저항은 생략할 수 없다는 점에 유의해야 한다.

3. 전환 전류 변화율 정보

부하 전류가 증가하고 전원 주파수가 높아지거나 전원이 비정현파인 경우 변환 전류 변화율이 높아지는데, 이는 감성 부하 상황에서 가장 쉽게 발생하여 부품의 손상을 초래하기 쉽다.이때 부하 회로에서 몇 밀리 형의 공기 감지를 연결할 수 있다.

4, 제어 실리콘 (트랜지스터) 회로 전압 변화율 DVD/DT 정보

마감 상태의 양방향 실리콘 (트랜지스터) 양쪽 끝에 VDFM보다 작은 고속 변화 전압을 추가하면 내부 용량의 전류가 실리콘 (트랜지스터) 을 제어할 수 있도록 충분한 게이트 전류를 생성합니다.이것은 특히 고온에서 심각합니다. 이 경우 MT1과 MT2 사이에 RC 버퍼 회로를 추가하여 VD/DT를 제한하거나 고속 제어 실리콘 (트랜지스터) 을 사용할 수 있습니다.

5. 연속 피크 회로 전압 VDRM 정보

전원이 비정상적인 경우, 제어 가능한 실리콘 (트랜지스터) 양쪽의 전압은 연속 피크 회로 전압 VDRM의 최대치를 초과하며, 이때 제어 가능한 실리콘 (트랜지스터) 의 누전 전류가 증가하여 관통된다.만약 부하가 매우 큰 서지 전류를 허용할 수 있다면, 실리콘 조각의 국부적인 전류 밀도는 매우 높아서 이 작은 부분을 선도적으로 통하게 할 것이다.칩의 소실이나 손상을 초래하다.또한 백열등, 용성 부하 또는 단락 보호 회로는 비교적 높은 서지 전류를 생성하는데, 이때 필터와 펜치 회로를 추가하여 스파이크 (스퍼트) 전압이 양방향 제어 실리콘 (트랜지스터) 에 추가되는 것을 방지할 수 있다 [2].