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광동성 동관시 료보진 석대로 료보구간 141호
1. 제품 소개:
JWD-2000ZP는대기 플라즈마 세척기, 이대기 플라즈마 세척기(Plasma cleaner) 는 국내"자체 연구 개발 대기 플라즈마 세척기"로서 안정성이 높은 위상 이동 전교 소프트 스위치 회로를 채택하고 안정적인 아날로그 통신 데이터 전송 방식을 가지고 있어 중앙 제어 시스템의 통일적인 모니터링을 달성할 수 있으며 세척 효과를 더욱 안정적이고 오래 유지할 수 있으며 방해 방지 성능을 강화하고 고장률을 낮추며 유지 보수 원가를 통제하고 생산 능력을 향상시켜 생산 원가를 효과적으로 줄일 수 있다.

2. 원리 소개
공예 기체에 전장을 가하여 이온을 플라즈마로 만들다.플라즈마의"활성"조분에는 이온, 전자, 원자, 자유활성기단, 자극상태의 핵소 (아안정상태), 광자 등이 포함된다.플라즈마 처리는 이러한 활성 성분의 성질을 이용하여 산화, 환원, 분해, 교련과 중합 등 물리적, 화학적 반응을 진행하여 샘플의 표면 성질을 변화시킴으로써 재료의 표면 성능을 최적화하고 청결, 변성, 각식 등의 목적을 실현하는 것이다.
3. 계기구조

대기 플라즈마 세척기 구조: 고압 전원 발생기와 플라즈마 발생 장치 분무기로 구성되어 있다.
4. 계기 파라미터
JWD-2000 전원 사양 매개변수 | |||
번호 |
유목 |
파라미터 |
비고 |
1 |
입력 전원 |
단상 220V/AC,50/60Hz、10A |
지선<4º |
2 |
가스 공급원 입력 |
CDA/N2(0.3-0.6Mpa) 흡기관 지름: Φ8 |
기름도 물도 없다 |
3 |
출력 |
300-1300 W |
분무기 사용에 따라 결정하다 |
4 |
출력 정밀도 |
±5% |
현재 전력 값 결정 |
5 |
출력 인수 |
≥50% |
전력 계수가 높을수록 전력 효율이 높음 |
6 |
출력 가스 압력 |
80-300Kpa의 |
분무기 사용에 따라 설정 |
7 |
작업 빈도 |
20KHz-35KHz의 |
분무기 사용에 따라 설정 |
8 |
작업 방식 |
항맥폭 |
아날로그 제어 |
9 |
대외 인터페이스 |
PLC-IO는 |
기능 소개는 설명서를 참조하십시오. |
10 |
통신선 길이 |
200±5mm |
용접 면제 커넥터 옵션 |
11 |
시작 및 정지 간격 |
시작: 3S, 닫기: 3S |
짧은 간격으로 장비 안정성 저하 |
12 |
설비 가동률 |
95% 이상 무중단 운영 |
가동률은 설비의 안정성을 대표한다. |
13 |
작업 환경 온도 |
-20 ~ 35℃ |
없음 |
14 |
폼 팩터 (mm) |
L457xW395xH159mm |
외관 치수도를 구체적으로 보다 |
15 |
전원 공급 장치 무게 |
15KG의 |
없음 |
16 |
공간 구성 |
통풍이 잘되어 좌우에 200mm 이상의 열 방출 공간이 있고 후방에 200mm의 선로 공간이 있다 |
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17 |
간섭 고려 사항
|
※ 플라즈마 전원 공급 장치는 PC 전원 공급 장치에서 분리하십시오. ※ 플라즈마 장치(전원, 헤드, 고압 케이블)는 PC 본체 및 화면과 20cm 이상 분리 ※ 별도의 접지(4mm² 이상 케이블) 연결 필요 |
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18 |
테스트 기능 |
기압 감지, 회전 감지 (회전 분사 포함)총주스페어), 마더보드 온도 측정 기능 |
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19 |
보호 기능 |
낮은 기압 및 높은 기압 보호 기능, 낮은 회전 속도 보호 기능 |
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분무기 부품

5. 제품의 우세

6. 응용분야

7. 규격요구
공장 업무 요구 | |
전원 요구 사항 |
단상 AC220V, 50/60Hz, 10A |
접지 요구 |
전원 공급 장치 엔클로저에 케이블 연결 필요 (지선 굵기 4mm 이상, 접지 임피던스 <0.6º, 기계대는 별도의 지선 인터페이스를 남겨야 함) |
기원 요구 |
기관 요구 사항: PU 기관 8mm 가스 요구사항: CDA/N2, 기압 0.3-0.6Mpa, 고체 입자 입경 <=0.1um, 기름 함유량 <=0.01mg/m³, 압력 이슬점 -40°C 이하 |
배기관 |
유량: 5m³/min, 가스 배출 파이프의 재료는 부식 방지 재질이어야 한다 |
8. 기업 실력

9. 거래 고객
사용자에게 전문적인 표면 처리 및 전체 솔루션 테스트 제공

