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항주시 소산구 통혜중로 1호 록도태부광장 1동 2512실
Hangzhou Leimai Technology Co., Ltd
항주시 소산구 통혜중로 1호 록도태부광장 1동 2512실
ZFW TIM Tester gen2 열 인터페이스 재료 테스터예ZFW는개발된 열계면 재료 테스트 기기는 간극 충전재나 패드, 접착제, 포일 등 열전도 및 절연 재료를 연구하는 데 사용된다.이 밖에 기재와 고체 모두 열 분석을 할 수 있다.이 장치의 개발은2012년, 그 후 줄곧 끊임없이 개발하고 개선하고 있다.ASTM D5470-17, IPC-TM-650 2.4.54 테스트 기준 충족


TIM은테스트기는 현재 이미 좋은 시장 피드백을 얻었다.이 테스트 장치는 많은 유명 회사들이 사용하는데, 특히 간극 열전도 재료를 테스트하는 데 쓰인다.
시험대는 샘플의 (유효한) 열 저항을 정확하게 측정할 수 있다Rth는. 클리어런스 측정 (레이어 또는 시료 두께 측정) 의 고정밀 해상도로 인해 재료의 열전도 계수가 정확하게 결정됩니다.λ。
서로 다른 층의 두께를 측정하여 열전도 재료와 설비의 알루미늄 테스트 표면 사이의 접촉 열저항을 확정할 수 있다.일반적으로,TIM은테스트 세트에는 테스트 대상 재료의 유형에 따라 측정 모드가 있습니다: 저점도 샘플의 경우 열 저항 또는λeff. 간격(레이어 두께)인 함수의 열전도율은 압력 없이 측정할 수 있으며 고체 재료의 경우 열저항은 압력에 접촉하는 함수로 결정됩니다.
ZFW TIM Tester gen2 열 인터페이스 재료 테스터따르면ASTM D5470의, 일반적으로 고정 원통법으로 측정되는데, 이 방법은 이미 열전도 전기 절연 재료의 열전도 성능의 표준 테스트 방법으로 확립되었다

ZFW TIM Tester gen2 열 인터페이스 재료 테스터기초 테스트를 능가하여 다음과 같은 기능을 제공하는 종합적인 재료 열 특성 분석을 제공하도록 설계되었습니다.
· 열저항: 샘플의 내열 능력을 고정밀도로 측정합니다.
· 열전도율: 고정밀 클리어런스 측정 기술을 사용하여 재료의 실제 열전도 능력을 계산합니다.
· 접촉열저항: 서로 다른 두께층을 테스트하여 이 설비는 재료와 테스트 표면 사이의 접촉 열저항을 분리할 수 있다.
· 광학 클리어런스 측정: 고정밀 비접촉식 광학 방법으로 인터페이스 간극을 측정하여 압축과 열팽창으로 인한 간극 변화를 정확하게 반영함으로써 열저항과 열전도 계수 측정의 정확성을 높이고 기생열 경로로 인한 불확실성을 낮춘다.
· 국제 표준 준수: 모든 측정은 안정된 열흐름계법을 엄격히 준수하며ASTM D5470의와IPC-TM-650표준 이외에 다양한 측정 모드를 제공합니다.
다기능 측정 모드
다양한 점도와 형태의 재료에 적응하기 위해ZFW는핫 인터페이스 재료 테스터는 다음과 같은 두 가지 제어 모드를 제공합니다.
· 클리어런스 제어 모드: 열전도 실리콘과 고형물과 같은 저점도 재료에 적용되며, 특정 층의 두께에 따라 열성능이 변화하는 함수 관계를 측정할 수 있다.
· 압력 제어 모드: 고성능 열전도성 실리콘, 필름, 고체, 패드 및 탄성 소재를 위해 설계되었으며 최대2개의 N/mm²의 특정 접촉 압력에서 열 저항을 측정합니다.
ZFW TIM Tester gen2 열 인터페이스 재료 테스터 zui*의기능 중 하나는 압축 및 팽창 테스트를 수행할 수 있다는 것입니다.이러한 테스트는 준정적, 동적 또는 순환 방식으로 수행할 수 있습니다.이런“계층형 테스트”열원과 히트싱크가 실제 작동 중에 발생하는 열팽창 현상을 역학적으로 시뮬레이션했다.
· 열 손실 예측: 열 성능 및 역학 성능 (클리어런스 및 힘) 의 변화를 여러 차례 반복적으로 기록합니다.
· 접착 한계 결정: 재료가 인터페이스에서 분리될 때의 힘 값 또는 간격 값을 정확하게 지정하여 계층화 또는 분리로 인한 열 손실 문제를 효과적으로 예방합니다.
기술 사양
특징 |
규격 |
클리어런스 해상도 |
0.1 μm |
절대 클리어런스 정밀도 |
±4 μm |
반복성 |
< 1 mm²K/W |
표면압력범위 |
최고2 N/mm² (290 PSI) |
샘플 온도 범위 |
10°C에150°C(열단건담175°C) |
클리어런스 측정 범위 |
0 – 10 mm |