웨이퍼 포광기

정밀 연마기 평탄화 반도체 연마 광택기

【웨이퍼 포광기기술 적용]

적용 재료는 화합물 반도체 재료, 금속 박막, 광전 재료 등 평면, 단면 및 각도 광택에 광범위하게 응용되며, 주요 가공 재료는 질화갈륨, 금강석, 산화갈륨, 니오브산 리튬, 다결정 탄화규소, 광섬유를 포함한다.

응용 분야는 반도체 재료 라이닝 얇은 광택, 부품 제조, 패키징 및 MEMS 등에 널리 응용된다.

【웨이퍼 포광기장치 특징]

□ 전체 기계는 방부하여 일반 화학기계의 광택 내부식 요구에 적응한다;

□ 시료 제거 두께는 온라인 실시간 모니터링, 정밀도 1μm;

□ 단면 및 각도 연마 광택 공예를 실현할 수 있다.

【기술 응용】

○ 적용 재료: 주로 탄화규소, 질화갈륨, 사파이어, 금강석 등 경성 재료에 대한 연마 및 광택 공법을 진행한다.

○ 응용분야: 부동한 작업자리수와 예비부품배치를 선택하여 기계대가 연구개발 및 여러가지 규격에 적응하여 량산할수 있다.

【장치 설명】

○ 충전재 시스템 자동 제어, 적재 속도 조절 가능;

○ 클램프 진폭 및 속도를 정확하게 제어할 수 있으며 진폭 범위: 0-100;

○ 클램프 압력 조절 가능, 조절 가능 범위 50kg;

○ 시료 제거 두께 조절 가능, 제거량 정밀도 1μm;

○ 독립된 진공 유닛이 장착되어 샘플이 진공 흡착을 통해 클램프 위에 고정되어 있다;

○ 옵션 배판 온도 모니터링 기능, 모니터링 정밀도 1 ℃;

○ 터치스크린 인터렉션 인터페이스를 통해 공정 매개변수를 설정할 수 있는 전체 기계 전체 방부 처리, 시스템은 최대 200개의 공정 메뉴를 저장할 수 있다;

○ 자동화 수준이 높고 전체 기기의 조작이 편리하며 운행이 안정적이고 유지보수가 편리하며 신뢰성이 강하다.

○ 서로 다른 하드웨어 및 소모품을 배치하여 다양한 배치 및 공정 방안을 실현하여 사용자가 서로 다른 재료 및 사이즈 등에 대한 다양한 기술 요구를 만족시킬 수 있다;

○ 연마 포광 디스크의 회전 속도는 자율적으로 설정할 수 있으며 회전 속도 범위는 0-200rpm이다.

○ 근무시간은 자율적으로 설정할 수 있으며 연속 가동시간은 10시간까지이다.

○ 정해진 공정 절차를 완료하면 자동으로 종료되는 실제 작업 시간을 독립적으로 표시하고 지시할 수 있습니다.