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상해시 송강구 용북로 88호 5호동 208실
제품 카테고리
상해증준실업유한공사
개요
동혜 TH521 반도체 파라미터 분석기는 회로 설계에 사용되는 종합 솔루션으로, 전기 전자 회로 설계에 사용되는 종합 솔루션으로, 전기 전자 회로 설계자가 자신의 응용에 적합한 전력 부품을 선택하여 전력 전자 제품이 최대 가치를 발휘할 수 있도록 도와준다.IV 매개변수 (뚫기 전압 및 전도 저항), 3단 FET 커패시터, 그리드 전하 및 전력 손실을 포함하여 다양한 작업 조건에서 부품의 모든 관련 매개변수를 평가할 수 있습니다.회로 설계를 위한 TH521 시리즈 반도체 파라미터 분석기는 완전한 곡선 추적기 기능과 기타 기능을 갖추고 있다.
제품 정보
동혜 TH521 반도체 파라미터 분석기소개：
동혜 TH521 반도체 파라미터 분석기회로설계에 사용되는 종합해결방안으로서 전기전자회로설계일군이 자신의 응용에 적합한 전력부품을 선택하여 그 전기전자제품이 최대의 가치를 발휘하도록 도와줄수 있는 전기회로설계에 사용되는 종합해결방안이다.IV 매개변수 (뚫기 전압 및 전도 저항), 3단 FET 커패시터, 그리드 전하 및 전력 손실을 포함하여 다양한 작업 조건에서 부품의 모든 관련 매개변수를 평가할 수 있습니다.회로 설계를 위한 TH521 시리즈 반도체 파라미터 분석기는 완전한 곡선 추적기 기능과 기타 기능을 갖추고 있다.
TH521 시리즈 최대 출력 전압 ± 3500V 최대 출력 전류 ± 1800A, 전압 측정 최소 해상도 100nV, 전류 측정 최소 해상도 10fA, 용량 측정 집전극 최대 편향 전압 ± 3500V, 측정 주파수 최고 10MHz에 달할 수 있다.
성능 특성
TH521은의 일반 특성
· 최대3.5kV/1800A넓은 작업 범위
에서-50°C에+250°C완전 자동 고속 열 테스트
· 전력 부품(반도체 및 부품)을 자동으로 생성하는 기술 자료
· 데이터 손실을 방지하는 자동 로깅 기능
·알은보조 작성파이Python테스트 스크립트
TH521IV는키트 기능
· 패키징 및 웨이퍼 부품에 대한 전자동 신속성IV측정
(론、BV는, 누설,Vth는、Vsat는기다리다)
· 좁다IV펄스 폭 (최대 폭 10μs) 부품의 발열을 방지하여 보다 정확하게 측정
시험 부품의 실제 성능
· 오실로스코프 뷰 (시간역보기) 는 실제 전압을 모니터링할 수 있음/전류 펄스 파형,
정확한 측정
*유연하게 확장하고 추가할 수 있는 구성CV는와Qg는, 전류 범위를20A는확장
에200A、600A또는1800A
TH521은전체 키트 기능
·IV키트의 모든 기능
· 측량 패키지는3.5kV트랜지스터 입력, 출력 및 역방향 전송 용량
(시스)、코스는、Crss는、Cies는、Coes는、크레스는) 및 그리드 저항(Rg)
· 패키지된 부품의 그리드 전하를 측정합니다(Qg는) 커브
· 전력 손실 계산(전도, 구동 및 스위치 손실)
응용 분야
· 반도체 전력 부품
다이오드, 삼극관,MOSFET은、IGBT는, 트랜지스터, 집적회로, 광
전자칩 등 기생용량 테스트,C-V는특성 분석
· 반도체 재료
웨이퍼 컷,C-V는특성 분석
· 액체 재료
탄성 상수 분석, 액정 절단
· 커패시터 소자
콘덴서C-V는특성 테스트 및 분석, 접점식 센서 테스트 분석
H521시리즈 반도체 파라미터 분석기 기술 파라미터:
MCSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (% MV + MV） |
*대전류 |
200mV |
100nV의 |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
1A는 |
2V는 |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
1A는 |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
1A는 |
40V는 |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A는 |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
10μA |
10pA의 |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
30V는 |
100μA |
100pA의 |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
30V는 |
1mA |
1nA는 |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
30V는 |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
30V는 |
100mA의 |
100nA의 |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
30V는 |
1A는 |
1uA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
30V는 |
일반 해상도 |
6½비트 |
||
*대전압 |
±30V는 |
||
*소전류 |
10pA의 |
||
펄스 * 큰 공백 |
5%(피크 초과100mA의시） |
||
펄스 * 작은 폭 |
10μs |
||
펄스 * 너비 |
100ms(피크 초과100mA의시） |
||
직류 * 대전류 |
±100mA의 |
||
펄스 * 피크 |
±1A는 |
||
펄스 * 큰 기본값 |
±50mA의(피크 초과100mA의시） |
||
HCSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (% MV + MV） |
*대전류 |
200mV |
100nV의 |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05) |
20A는 |
2V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
20A는 |
20V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
20A는 |
40V는 |
40μV |
±(0.06 + 3 + Io x 10) |
1A는 |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
10μA |
10pA의 |
±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10) |
40V는 |
100μA |
100pA의 |
±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9) |
40V는 |
1mA |
1nA는 |
±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
40V는 |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7) |
40V는 |
100mA의 |
100nA의 |
±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6) |
40V는 |
1A는 |
1μA |
±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5) |
40V는 |
20A는 |
20μA |
±(0.4 + 2E-3+Vo는 x 1E-4) |
20V |
일반 해상도 |
6½비트 |
||
*대전압 |
±40V는 |
||
*소전류 |
10pA의 |
||
펄스 * 큰 공백 |
1%(피크 초과1A는시） |
||
펄스 * 작은 폭 |
50μs |
||
펄스 * 너비 |
1ms(피크 초과1A는시） |
||
직류 * 대전류 |
±100mA의 |
||
펄스 * 피크 |
±20A는 |
||
펄스 * 큰 기본값 |
±100mA의(피크 초과1A는시） |
||
MPSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (% MV + MV） |
*대전류 |
100mV의 |
100nV의 |
±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05) |
100mA의 |
1V |
1μV |
±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5) |
100mA의 |
10V |
10μV |
±(0.06 + 3 + Io x 5) |
100mA의 |
100V |
100μV |
±(0.012 + 2.5 + Io x 10) |
20mA(≥40V) 50mA(≤40V) |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
1nA는 |
1fA는 |
±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15) |
100V |
10nA의 |
10fA는 |
±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14) |
100V |
100nA의 |
100fA의 |
±(0.05 + 2E-11 + Vo는 x 1E-13) |
100V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12) |
100V |
10μA |
10pA의 |
±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11) |
100V |
100μA |
100pA의 |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10) |
100V |
1mA |
1nA는 |
±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9) |
100V |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8) |
100V |
100mA의 |
100nA의 |
±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7) |
20V |
일반 해상도 |
6½비트 |
||
*대전압 |
±100V |
||
*소전류 |
1fA는 |
||
HVSMU는 | |||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | |||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도±(%+mV) |
*대전류 |
200V |
200uV의 |
±(0.03+40) |
10mA의 |
500V |
500uV의 |
±(0.03+100) |
10mA의 |
1500V |
1.5mV의 |
±(0.03+300) |
10mA의 |
3500V |
3.5mV의 |
±(0.03+600) |
5mA의 |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
*고전압 |
10nA의 |
10fA는 |
±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
1μA |
1pA |
±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12) |
3500V |
100μA |
100pA의 |
±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11) |
3500V |
10mA의 |
10nA의 |
±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9) |
1750V |
일반 해상도 |
6½비트 |
||
*대전압 |
±3500V |
||
*소전류 |
10fA는 |
||
UHCU는 | ||
전압 범위, 해상도 및 정밀도 | ||
전압 측정 거리 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도±(%+mV) |
60V |
100μV |
±(0.2+10) |
전류 범위, 해상도 및 정밀도 |
출력/해상도 측정 |
출력/측정 정밀도 (%+A+A） |
200A |
200μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
600A |
500μA |
±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo) |
1800A |
2mA |
±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo) |
펄스 * 큰 공백 |
0.4%（600A측정);0.1%（1800A측정 거리） |
|
펄스 * 작은 폭 |
10μs |
|
펄스 * 너비 |
1ms（600A측정);500μs（1800A측정 거리） |
|
펄스 * 피크 |
200A、600A、1800A측정 거리 |
|
MFCMU는 | ||
|
빈도 |
주파수 범위 |
1kHz ~ 10MHz |
*소주파수 해상도 |
1mHz의 |
|
주파수 정밀도 |
±0.05% |
|
|
AC는레벨 |
레벨 범위 |
0~250mV |
해상도 |
0.1mVrms의 |
|
정밀도 |
±(10%*값 설정+ 2mV) |
|
|
DC는편향 |
범위 |
0~±25V는 |
해상도 |
1mV |
|
정확도 |
1%*전압 설정+ 8mV |
|
출력 임피던스 |
100Ω |
|
테스트 측 구성 |
사단쌍 |
|
테스트 시간 |
빠르게2.5ms의중속90ms저속220ms |
|
커패시터 |
표시 범위 |
0.00001pF~9.99999F |
*높은 정확도 |
0.05% |
|
TH521은시리즈 반도체 매개변수 분석기 선택 테이블:
TH521-35-20 |
IV: 3500V/20A |
TH521-35-20C |
IV: 3500V/20A의 CV: 10MHz의 Qg |
TH521-35-200 |
IV: 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV: 3500V/200A의 CV: 10MHz의 Qg |
TH521-35-600 |
IV: 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV: 3500V/600A의 CV: 10MHz의 Qg |
TH521-35-1800 |
IV: 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV: 3500V/1800A의 CV: 10MHz의 Qg |
