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TOF-qSIMS 비행 시간 이차 이온 분광기

협상 가능업데이트05/06
모델
제조업체의 성격
생산자
제품 카테고리
원산지 Place of Origin

개요

TOF-qSIMS 비행 시간 이차 이온 질량 분광기는 폴리머, 약물, 초전도체, 반도체, 합금, 광학 및 기능 코팅 및 전기 매체를 포함한 다양한 재료의 표면 분석 및 심도 분석 응용에 사용되도록 설계되었으며 검출 한도는 1ppm 미만입니다.

제품 정보

숨겨진TOF-qSIMS는비행시간 이차 이온 분광기폴리머, 약물, 초전도체, 반도체, 합금, 광학 및 기능 코팅 및 전기 매체를 포함한 다양한 재료의 표면 분석 및 심층 분석 응용을 위해 설계되었으며 검사 한도는 1ppm 미만입니다.


TOF-qSIMS Workstation에는 쿼드 밴드 스펙트럼과 비행 시간 스펙트럼이 포함되어 있습니다.

사극대 qSIMS는 주로 잡동사니 심도 분석과 박층 분석, 낮은 입사 능력, 높은 입사 전류, 사출 및 분석이 연속적으로 진행되는 전형적인 Dynamic SIMS 동적 SIMS이다.

비행시간 2차 이온 질량 스펙트럼 TOF-SIMS는 비행시간 질량 스펙트럼을 사용하여 질량 범위가 넓고 질량 해상도가 높으며 측정 속도가 빠르다 (순간적으로 전체 스펙트럼을 얻는다).이온총은 펄스 사출을 한 번만 하면 전체 스펙트럼을 얻을 수 있어 표면에 거의 파괴 작용이 없다.펄스 패턴이 분석되고 전류가 작기 때문에 발생하는 이차 이온 비율이 상대적으로 적고 감도는 동적 SIMS에 비해 약하지만 영상과 표면 분석 능력이 강한 전형적인 Stactic SIMS 정적 SIMS이다.


TOF-qSIMS는비행시간 이차 이온 분광기Quadrupole SIMS와 TOF-SIMS의 장점을 종합하여 모든 도체, 반도체, 절연재를 분석할 수 있다;실리콘, 고k, 실리콘 게르마늄 및 III-V족 화합물 등 복합재료의 얇은 층에 초얕은 깊이 분석, 흔적 원소 및 성분 측정 등 일련의 확장 기능을 제공한다.재료/제품 표면 성분 및 분포에 대하여 표면 첨가 성분, 불순물 성분, 표면 다층 구조/도금 성분, 표면 이물질 잔류 (오염물, 미세먼지, 부식물 등), 표면 흔적 혼합, 표면 변성, 표면 결함 (긁힘, 돌기) 등은 좋은 표징 능력을 가지고 있다.


SIMS 1대는 쿼드 밴드 스펙트럼과 비행 시간 스펙트럼을 모두 제공합니다.

정적 SIMS Static SIMS

동적 SIMS Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 등 다양한 이온총

샘플 3D 이미징 분석

테스트 한도가 ppm 미만임

SNMS 이온 소스, 2차 중성 입자 스펙트럼

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