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아이티구 중관촌 소주가 3번지
북경성원업과학기술유한공사
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반도체 중의 불순물이 저항률에 미치는 영향은 매우 크다.반도체에 미량의 불순물이 섞일 때 불순물 원자 부근의 주기 세장은 방해를 받고 부가적인 속박 상태를 형성하여 금지대에서 불순물 에너지 준위를 더한다.4가 요소 게르마늄 또는 실리콘결정5가 원소인 인, 비소, 안티몬 등 불순물 원자를 섞을 때 불순물 원자는 결정격의 1분자로서 그 5가 전자 중 4개는 주위의 게르마늄 (또는 실리콘) 원자와 공가 결합을 형성하고 여분의 한 전자는 불순물 원자 부근에 묶여 수소급이 발생한다.불순물 에너지 수준은 금지 벨트 위쪽과 가이드 베이스 근처에 있습니다.불순물 에너지 등급의 전자는 쉽게 도대를 자극하여 전자 캐리어가 된다.이런 전자 캐리어를 제공할 수 있는 불순물을 시주라고 하고, 상응하는 에너지 준위를 시주 에너지 준위라고 한다.시주에너지급의 전자가 가이드로 도약하는 데 필요한 에너지는 가격대에서 가이드로 자극하는 데 필요한 에너지보다 훨씬 작다 (그림 2).게르마늄이나 실리콘 결정체에 미량의 3가 원소인 붕소, 알루미늄, 갈륨 등 불순물 원자를 섞을 때 불순물 원자와 주위의 네 개의 게르마늄 (또는 실리콘) 원자가 공가 결합을 형성할 때 유행은 하나의 전자가 부족하기 때문에 하나의 빈자리가 존재한다. 이 빈자리에 상응하는 에너지 상태가 바로 불순물 에너지급이다. 보통 금지대 아래 가격대에 가깝다.가격대의 전자는 불순물 에너지급에 쉽게 자극되어 이 빈자리를 메워 불순물 원자를 음이온으로 만든다.가격대에는 전자 하나가 부족하여 빈 캐리어가 형성된다.이런 빈 구멍을 제공할 수 있는 불순물을 수주불순물이라고 한다.수주의 불순물이 존재할 때, 가격대에서 하나의 빈 혈재 유자를 형성하는 데 필요한 에너지는 본 징후의 반도체 상황보다 훨씬 작다.반도체가 섞이면 저항률이 크게 떨어진다.가열 또는 조명으로 인한 열 자극 또는 광 자극은 자유 캐리어 수를 증가시켜 저항률을 감소시킵니다. 반도체열 저항와광저항바로 이 원리에 근거하여 만든 것이다.
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