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저저항형 4탐침 검측기

협상 가능업데이트05/06
모델
제조업체의 성격
생산자
제품 카테고리
원산지 Place of Origin

개요

저저항형 4탐침 검측기 $r$n 기기는 GB/T 1552-1995 실리콘, 게르마늄 단결정 저항률 측정 직렬 4탐침법을 사용한다

제품 정보

저저항형 4탐침 검측기/ 방저항기/ 4탐침 저항률 측정기 모델;KDY-1

계기 채택GB/T 1552-1995 실리콘, 게르마늄 단결정 저항률 측정 직렬 4탐침법
(2) 범위: 저항률 10-5~10+3옴·cm, 해상도 10-5옴·cm
블록 저항10-4~10+4옴/□, 최소 해상도는 10-4옴/□
(3) 측정 가능한 재료: 반도체 재료 실리콘 게르마늄 막대, 블록, 조각, 전도성 필름 등
정확한 측정 가능한 반도체 크기: 지름≥20㎜


측정 가능한 반도체 크기: 지름≥8㎜
(4) 측정 방법: 평면 측정.
(5) 전압계: 전류, 전압 변화를 동시에 관찰할 수 있는 듀얼 디지털 전압계
A. 범위 0~19.999 mV
B. 기본오차±(0.004% 판독+0.01% 만도)
C. 감도: 1uV
D 입력 임피던스 > 1000M
E 4 1/2비트 숫자 표시, 0~19999
(6) 항류원:
A. 전류 출력: 직류 전류 0.003~100mA 연속 조정 가능, AC 전원 공급
B. 측정: 10uA, 100uA, 1mA, 10mA, 100mA 5단


C. 항류원 정밀도: 각 기어 모두 ≤±0.05%
(7) 쿼드 프로브 테스트 프로브
A. 프로브 간격 1.59 ㎜
B.탐침기계유율:±0.3%
C. 탐침 직경 0.8 ㎜
D.탐침 재료: 탄화텅스텐, 탐침 간 및 탐침과 기타 부분 사이의 절연 저항은 109옴보다 크다.
(8) 테스트 프레임: (옵션)
수동 테스트 프레임:KDJ-1A형 수동 테스트 프레임 프로브는 상하로 수동으로 작동하며 단면 단결정봉과 실리콘 칩 테스트로 사용할 수 있으며 프로브 헤드는 상하 이동 거리: 120mm, 테스트 테이블 200x200(mm)이다.
(9) 정밀도
전기 정밀도:1-1000옴≤0.3%
전체 측정 정밀도:1-100옴·cm≤3%
(10) 전류: 220V±10%, 50HZ, 전력 소비<35W

저저항형 4탐침 검측기주: 금속 분말의 저항률을 측정하려면 반드시 샘플을 블록이나 조각으로 눌러야만 측정할 수 있다