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제품 카테고리
히타치 하이테크 (상하이) 국제무역유한공사
개요
히타치 이온 연마기의 표준 모델인 IM4000 Ⅱ는 단면 연마와 평면 연마를 할 수 있다.또한 저온 제어 및 진공 이동 등 각종 선택 기능을 통해 서로 다른 샘플에 대해 단면 연마를 진행할 수 있다.
제품 정보
이온 연마기 IM4000II
히타치 이온 연마기의 표준 모델인 IM4000 Ⅱ는 단면 연마와 평면 연마를 할 수 있다.또한 저온 제어 및 진공 이동 등 각종 선택 기능을 통해 서로 다른 샘플에 대해 단면 연마를 진행할 수 있다.
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특징
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옵션
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사양
특징
고효율의 단면 연마
IM4000II는 단면 연마로 500µm/h*1이상의 고효율 이온총.따라서 경질 재료라도 단면 샘플을 효율적으로 제조할 수 있다.
- *1
- 가속 전압 6 kV에서 Si 슬라이스를 가림막 가장자리에서 100 µm 돌출 및 1 시간의 최대 깊이 가공
샘플: Si 슬라이스 (2mm 두께)
가속 전압: 6.0 kV
흔들림 각도: ± 30 °
연마 시간: 1시간
단면을 연마할 때 스윙 각도가 변경되면 가공의 폭과 깊이도 변경됩니다.다음 그림은 Si 슬라이스가 진동 각도 ± 15 ° 에서 단면을 연마한 결과입니다.스윙 각도를 제외한 다른 조건은 위의 가공 조건과 일치합니다.위의 결과와 비교하여 가공의 깊이가 깊어졌음을 알 수 있습니다.
관찰 목표가 깊은 곳에 있는 샘플의 경우 샘플을 더 빠르게 단면 연마할 수 있습니다.
샘플: Si 슬라이스 (2mm 두께)
가속 전압: 6.0 kV
흔들림 각도: ±15°
연마 시간: 1시간
복합형 연마기
단면 연마
- 서로 다른 경도와 연마 속도 재질로 구성된 복합재료라도 IM4000Ⅱ를 통해 매끄러운 연마면을 제조할 수 있다
- 가공 조건을 최적화하여 이온 빔으로 인한 샘플의 손상을 낮추다
- 최대 20mm(W)×12mm(D)×7mm(H)의 샘플을 적재할 수 있음
단면 연마의 주요 용도
- 금속 및 복합재료, 고분자재료 등 샘플의 단면 제조
- 립 및 빈틈 등 특정 위치를 포함하는 샘플 단면 제조
- 다층 샘플의 단면 제조 및 샘플 EBSD 분석 전 처리
평면 연마
- 직경 약 5mm 범위 내의 균일 가공
- 응용 분야가 광범위하다.
- 최대 지름 50mm × 높이 25mm의 샘플을 적재할 수 있다
- 회전 및 스윙(±60도, ±90도 스윙) 2가지 가공법 선택 가능
평면 연마의 주요 용도
- 기계 연마에서 제거하기 어려운 미세한 스크래치와 변형 제거
- 샘플 표층 부분 제거
- FIB 가공으로 인한 손상층 제거
옵션
저온 제어 기능*1
액체 질소를 두바 탱크에 넣어 냉각원 간접 냉각 시료로 삼다.IM4000 Ⅱ에는 수지와 고무 시료의 과냉을 방지하기 위한 온도 조절 제어 기능이 장착되어 있다.
- * 1 호스트와 동시에 주문해야 합니다.
상온 연마
냉각 연마(-100℃)
- 샘플: 플라스틱 사용을 줄이는 기능성(종이) 분리재
진공 이동 기능
이온 연마 가공 후의 시료는 공기에 접촉하지 않은 상태에서 SEM으로 직접 옮길 수 있다*1、AFM*2위.진공 이동 기능과 저온 제어 기능을 동시에 사용할 수 있다.(평면 연마 진공 이동 기능은 저온 제어 기능에 적용되지 않습니다.)
- *1 히타치 FE-SEM은 진공 전환 교환 창고가 있는 경우에만 지원
- *2 진공형 히타치 AFM만 지원합니다.
가공 과정을 관찰하는 체형 현미경
오른쪽 그림은 샘플 가공 과정을 관찰하는 데 사용되는 체형 현미경이다.CCD 카메라를 탑재한 삼목형 현미경은 모니터에서 관찰할 수 있다.듀얼 눈매형 현미경도 구성할 수 있습니다.
사양
| 주요 내용 | |
|---|---|
| 가스 사용 | 아르곤 |
| 아르곤 유량 제어 방식 | 품질 흐름 제어 |
| 가속전압 | 0.0 ～ 6.0 kV |
| 치수 | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
| 무게 | 본체 53kg + 기계식 펌프 30kg |
| 단면 연마 | |
| 최대 연마 속도(Si 소재) | 500 µm/h*1이상 |
| 최대 샘플 크기 | 20(W）×12(D）×7（H）mm |
| 샘플 이동 범위 | X±7 mm、Y 0 ～+3 mm |
| 이온 빔 간헐 가공 기능 켜기 / 끄기 시간 범위 설정 |
1초~59분 59초 |
| 스윙 각도 | ±15°、±30°、±40° |
| 광역 단면 연마 기능 | - |
| 평면 연마 | |
| 최대 가공 범위 | φ32 mm |
| 최대 샘플 크기 | Φ50 X 25 (H) mm |
| 샘플 이동 범위 | X 0～＋5 mm |
| 이온 빔 간헐 가공 기능 켜기 / 끄기 시간 범위 설정 |
1초~59분 59초 |
| 회전속도 | 1 rpm、25 rpm |
| 스윙 각도 | ±60°、± 90° |
| 기울기 각도 | 0 ～ 90° |
- *1 Si 슬라이스를 가림막 가장자리에서 100 µm 돌출한 후 1 시간 깊이로 가공합니다.
옵션
| 프로젝트 | 내용 |
|---|---|
| 저온 제어 기능*2 | 액체 질소를 통한 간접 냉각 시료, 온도 설정 범위: 0°C~-100°C |
| 초경량 가림막 | 표준 가림막의 약 2배 사용 시간(코발트 제외) |
| 가공과정 관찰용 현미경 | 확대 배수 15 × ~ 100 × 쌍목형, 삼목형(CCD 장착 가능) |
- *2 호스트와 동시에 주문해야 합니다.일부 기능은 냉각 온도 제어 기능을 사용할 때 제한적으로 사용될 수 있습니다.
관련 제품 분류
- 필드 발사 스캐닝 전자현미경(FE-SEM)
- 전자현미경(SEM) 스캔
- 투과전자현미경(TEM/STEM)
