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    상해 가정구 진신신촌거리 만진로 599호 2동 5층 J

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INFINEON 인피니온 다이오드 제어 실리콘 IGBT 트랜지스터

협상 가능업데이트05/06
모델
제조업체의 성격
생산자
제품 카테고리
원산지 Place of Origin

개요

INFINEON 인피니온 다이오드 제어 실리콘 IGBT 트랜지스터 모델 완비 $r$nFP35R12U1T4、FZ1200R33HL3、DD350N16K、DD600S16KF4、TD180N12KOF、TT425N16KOF、T160N14TOF、DDB6U144N16RR$r$n자동차, 산업, 소비자 전자, 통신 및 데이터 통신 분야를 포괄하는 광범위한 작은 신호 양극 트랜지스터 제품을 제공합니다.반극성 보호, 브리지 정류 회로, 삭파 및 펜치 회로 등의 응용에 적용됩니다.

제품 정보

INFINEON 인피니온 다이오드 제어 실리콘 IGBT 트랜지스터모든 모델

모델
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BSM300GA120DL
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FS3L50R07W2H3F_B11의
FS3L50R07W2H3_B11의
FS3L30R07W2H3F_B11의
F4-75R07W2H3_B51
F3L400R07ME4_B22는
F3L400R07ME4_B23는
F3L300R07PE4는
F3L200R07PE4는
F3L300R07PE4P는
DF400R07PE4R_B6는
FD400R07PE4R_B6는
DF300R07PE4_B6는
FD300R07PE4_B6는
FF600R07ME4_B11의
FF450R07ME4_B11의
FF400R07KE4는
FF300R07ME4_B11의
FF300R07KE4는
FP150R07N3E4는
FP150R07N3E4_B11의
FP100R07N3E4는
FP100R07N3E4_B11의
FP75R07N2E4는
FP75R07N2E4_B11의
FP50R07N2E4는
FP50R07N2E4_B11의
FP50R07U1E4는
FP30R07U1E4는
FS200R07PE4는
FS200R07N3E4R
FS200R07N3E4R_B11의
FS150R07PE4는
FS150R07N3E4는
FS100R07PE4는
FS100R07N3E4는
FS100R07N3E4_B11의
FS150R07N3E4_B11의
FS100R07N2E4_B11의
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FS50R07N2E4는
FS75R07U1E4는
FS50R07U1E4는
F3L150R07W2E3_B11의
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F3L75R07W2E3_B11의
F3L50R06W1E3_B11의
F3L30R06W1E3_B11의
FD300R06KE3는
FF600R06ME3는
FF450R06ME3는
FF400R06KE3는
FF300R06KE3는
FF200R06KE3는
F4-75R06W1E3는
F4-50R06W1E3는
F4-30R06W1E3는
FP100R06KE3는
FP75R06KE3는
FP50R06KE3는
FP30R06KE3는
FP50R06W2E3_B11은
FP30R06W1E3는
FP30R06W1E3_B11의
FP20R06W1E3는
FP20R06W1E3_B11은
FP15R06W1E3는
FP15R06W1E3_B11의
FP10R06W1E3는
FP10R06W1E3_B11의
FS200R06KE3는
FS150R06KE3는
FS100R06KE3는
FS75R06KE3는
FS50R06KE3는
FS50R06W1E3의
FS50R06W1E3_B11의
FS30R06VE3는
FS30R06W1E3의
FS30R06W1E3_B11의
FS20R06VE3는
FS20R06VE3_B2는
FS20R06W1E3의
FS20R06W1E3_B11은
FS15R06VE3_B2는
FS10R06VE3는
FS10R06VE3_B2는
FS6R06VE3_B2는
FF1200R12IE5는
FF1200R12IE5P는
F3L200R12W2H3_B11의
F3L150R12W2H3_B11의
F3L100R12W2H3_B11의
F3L75R12W1H3_B11의
F3L75R12W1H3_B27
FS3L25R12W2H3_B11에 대한 정보
F3L15R12W2H3_B27
F3L400R12PT4_B26는
F3L300R12PT4_B26는
F3L300R12MT4_B23는
F3L300R12MT4_B22는
FD200R12PT4_B6는
DF200R12PT4_B6는
FD150R12RT4는
DF150R12RT4는
FF300R12KT4P는
BSM10GD120DN2는
BSM10GD120DN2E는
BSM10GD120DN2E3224는
BSM10GD120DLC는
BSM10GD120DLCE3224
BSM10GD120DN2E3256
BSM10GD120DLCE3256
BSM15GD120DN2는
BSM15GD120DN2E는
BSM15GD120DN2E3224는
BSM15GD120DLC는
BSM15GD120DLCE3224
BSM15GD120DN2E3256
BSM15GD120DLCE3256
BSM15GD120DN1의
BSM15GD100D는
BSM15GD120D는
BSM25GD120DN2는
BSM25GD120DN2E는
BSM25GD120DN2E3224는
BSM25GD120DLC는
BSM25GD120DLCE3224
BSM25GD120DN2E3256
BSM25GD120DLCE3256
BSM25GD120DN1의
BSM25GD100D는
BSM25GD120D는
BSM35GD120DN2_E3224는
BSM35GD120DN2_E3226는
BSM35GD120DN2는
BSM35GD120DLC는
BSM35GD120DLCE3256
BSM35GD120DLCE3224
BSM35GD120DLC_E3256는
BSM35GD120DLC_E3224는
BSM50GD120DN2는
BSM50GD120DN2_B10의
BSM50GD120DLC는
BSM50GD120DN2E3226
BSM50GD120DLCE3226
BSM50GD120DLCE3224
BSM50GD120DLCE3256

I

모델이 완비되어 있습니다. 더 많은 모델은 고객센터에 연락하여 상담하는 것을 환영합니다.


역극성 보호

브리지 정류 회로

절삭파 및 펜치 회로

응용 분야:
튜닝 다이오드 직렬 저항이 낮고 선형도가 높아 각종 이동통신 및 무선 주파수 응용에 적합하다

전력 변환:

내장형 쇼트키 다이오드의 Cool GaN G5 트랜지스터는 다음과 같습니다.
서버
통신 중간 버스 변환기
DC-DC 동글

USB-C 배터리 충전기 동기식 정류기

고성능 어플리케이션:

IGBT에 역방향 패스스루 다이오드 통합
고출력 전원 공급 장치
모터 드라이브

흔히 볼 수 있는 포장 형식:

PQFN 패키지(예: 3x5mm PQFN 패키지의 100V GaN 트랜지스터)

DIP 패키지(예: ND104N12K 등)

1206-S 패키지(예: DZ600N16KOF 다이오드 모듈)

SOD323, SOT-23 등 소형화 패키지(예: BAW56 정류 다이오드)

DPAK, real2pin 패키지(예: IDM08G120C5 탄화규소 쇼트키 다이오드)

모듈식 패키지(예: D659S14T 등)

패키지 특징:

서로 다른 패키지는 서로 다른 응용 장면과 전력 등급에 적용된다

부분적으로 포장하여 채택하다.XT 확산 용접 기술로 열 성능 향상

고성능 어플리케이션을 위한 모듈식 패키지

응용 장면:

소형 패키지(예: SOD323)의 소비자 가전 제품

모듈식 패키지는 공업용 고출력 응용프로그램에 적합하다

DPAK 등 패키지는 자동차 전자에 적합하다

INFINEON 인피니온 다이오드 제어 실리콘 IGBT 트랜지스터모든 모델


인피니온 테크놀로지 (Infineon Technologies) 반도체 회사의 다이오드 제품 라인은 전력 반도체를 핵심으로 광범위한 소신호 양극 트랜지스터와 다이오드 제품 조합을 제공한다.이 제품들은 자동차, 산업, 소비자 전자, 통신 및 데이터 통신 분야의 거의 모든 응용 프로그램을 포함합니다.제품하드 스위치 응용 중의 고출력 손실 문제를 효과적으로 해결하고, 서버, 전신 중간 버스 변환기, DC-DC 변환기 등 장면에 적용하여 기술 혁신, 성능 파라미터와 시장 응용 방면에서 모두 현저한 우세를 보이며, 특히 고신뢰성 설계, 재료 혁신과 시스템 통합 방면에서 현저한 우세를 보인다.이 제품은 특히 자동차 전자 및 산업과 같은 까다로운 응용 환경에서 뛰어난 성능을 발휘하며 고성능 전원 공급 장치 솔루션에 이상적입니다.