웨이퍼 검사 현미경광학 렌즈 시스템을 통해 웨이퍼 표면의 이미지를 확대하여 고글이나 영상 센서에 투사하여 관찰하고 분석할 수 있도록 한다.일부 현미경은 또 명장, 암장, 미분간섭차이(DIC) 등 부동한 조명방식과 대비기술을 리용하여 영상의 대비도를 증강시켜 결함과 구조특징을 더욱 뚜렷이 볼수 있도록 한다.

　　웨이퍼 검사 현미경는 다음과 같이 적용됩니다.

1. 웨이퍼 표면 결함 검측

중복물 검사: 50-1000배 증폭을 통해 광학 MIX 조명과 결합하여 나노미터급 입자에서 마이크로미터급 먼지까지 정확하게 위치하여 전기 특성의 실효를 피한다.

기계 손상 분석: 화학 기계 연마(CMP)로 인한 아크 스크래치를 감지하고 손상이 회로 연결성에 미치는 영향을 평가합니다.

결정 결함 선별: DIC 기술을 이용하여 슬라이딩 라인과 더미 층의 오류를 식별하여 양품률을 높인다.

2. 광각 공정 품질 제어

도안 정밀도 검사: 포토레지스트 노출과 현상으로 형성된 회로 도안이 설계 요구에 부합하는지 검증하고 선폭 편차를 피한다.

선가중치 균일성 분석: CD-SEM(전자빔 이미징) 또는 OCD(광학 핵심 크기) 장비를 통해 선가중치 변화를 측정하여 공정 안정성을 확보한다.

3. 포장 테스트와 실효 분석

용접점 품질 검사: 용접점의 모양, 크기 및 허용접, 합선 등 결함을 검측하여 포장의 신뢰성을 보장한다.

층간 조준 및 두께 측정: 다층 금속/매체 층의 중첩 정밀도를 검증하고 층간 두께 변화를 측정하며 설계 규범에 부합한다.

투과전자현미경 (TEM) 분석: 원자급 분별의 단면 이미지를 제공하고 스펙트럼과 결합하여 요소 분포를 분석하여 실효의 근원을 파악한다.

4. 공정 지원

화합물 반도체 검사: 예를 들어 탄화규소 (SiC) 라이닝 결함 영상은 광발광 검사 채널을 지원하여 결정 결함을 선명하게 나타낸다.

3D 구조 관찰: 샘플을 다각도로 기울이고 회전하여 3D 스택 구조의 정확도와 인터페이스 품질을 측정합니다.