Anric Technologies는2014 년에 설립 된 Harvard University ALD 공예 전문가에 의해Roy Gordon 교수팀시장을 메우기 위한 연구자 설립소형 데스크탑 원자층 퇴적(ALD 장비)의 공백은 대학, 스타트업, 원자층침적(ALD) 기술을 탐색하는 회사, 파일럿 생산라인 가동 및 전문 제조업체에 설계와 최적화를 제공하는 도구이다.

회사는 ALD 공정과 설비의 연구에 전념하고 있으며, 핵심 기술 구성원들은 모두 하버드 대학 출신이며, 그들은 ALD 공정에서 풍부한 경험을 쌓았고, 고객에게 복잡한 공정 맞춤형 솔루션을 제공할 수 있다. 예소형 샘플 및 저예산 사용자의옵션。

원자층침적은 특수한 화학기상침적기술로서 기상전구체를 교대로 반응실에 통하게 하고 침적기체표면에 생기-경화학반응을 일으켜 박막을 형성하는 방법이다.ALD는 보통 A, B의 반반응 서열로 구성되며, 표면 자한성의 특징을 가지고 있으며, 우수한 3차원 공형성, 대면적의 균일성, 아단층의 막 두께 제어와 낮은 성장 온도 등을 가지고 있다.

ALD 생장 원리는 반응 전구체를 통해 번갈아 퇴적해 기초재 표면에 박막을 층층이 퇴적하는 것이다.

원자층 퇴적 주기는 다음 네 단계로 나눌 수 있습니다.

1. 첫 번째 전구체 통입: 첫 번째 전구체 펄스를 반응실에 진입시켜 기체 표면과 화학적 흡착 반응을 일으킨다.

2.불활성 가스 세척: 질소 또는 가스와 같은 불활성 가스를 사용하여 반응실을 세척하고 반응하지 않은 첫 번째 전구체와 반응으로 인한 부산물을 제거합니다.

3.두 번째 전구체 통입: 두 번째 전구체 펄스를 반응실에 진입시켜 기체 표면에 흡착된 첫 번째 전구체와 화학반응을 일으켜 박막을 생성한다.

4.다시 타성 가스 세척: 다시 타성 가스로 반응하지 않는 두 번째 전구체 및 부산물을 제거합니다.

시중에서 가장 작은 ALD

장갑 상자에 넣을 정도로 작은 ALD

가루가 되는 ALD