반도체 레이저

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개요

반도체 레이저는 양자 함정 구조의 DFB 레이저를 사용하며, 반도체 냉각기를 내장하고, 표준 패키징 공정은 나비형 (butterfly) 꼬리 섬유식 패키징을 실현하며, 구조가 치밀하고 부피가 작다;레이저는 전력 안정, 파장 안정, 높은 신뢰성 비율로 고객의 신뢰를 얻어 광섬유 통신 분야에서 광범위하게 응용되고 있다

제품 정보

반도체 레이저는 양자 함정 구조를 채택한 것이다DFB 레이저, 내장형 반도체 냉각기, 표준 패키징 공정은 나비형 (butterfly) 꼬리섬유식 패키징을 실현하여 구조가 치밀하고 부피가 작다;레이저는 전력 안정, 파장 안정, 높은 신뢰성 비율로 고객의 신뢰를 얻고 광섬유 통신 분야에서 광범위하게 응용되고 있다.반도체 냉각기의 고정밀 온도 제어 하에 레이저의 출력이 높고 안정적이며 파장이 높고 안정적인 우세로 인해 레이저는 광섬유 센서 분야에서 광범위하게 응용되었다.

　　반도체 레이저정격 극한 작업 조건:

매개변수	기호	매개변수 값	단위
레이저 다이오드 양방향 전류	만약(LD)	100	mA
레이저 다이오드 역방향 전압	Vr (LD)	2	V
백라이트 탐지기 작동 전류	만약(PD)	2	mA
백라이트 탐지기 역방향 전압	Vr (PD)	20	V
냉각기 작동 전류	ITEC는	2.4	A
냉각기 작동 전압	VTEC는	2.9	V
작동 온도	Topr는	-20~+70	℃
저장 온도	Tstg	-40~+85	℃
지시선 용접 온도 / 시간	Tsld는	260/10	℃/s

기술 매개 변수:

매개변수	기호	테스트 조건	최소	유형	최대	단위
출력 전력	PO는	CW는	3		10	mW
임계값 전류	Ith는	CW는	-	12	18	mA
작동 전류	Iop은	CW, 5mW	-	-	50	mA
작동 전압	Vop은	CW, 5mW	-	1.5	2.0	V
기울기 효율	η	CW, 5mW	0.05	0.1	-	mW/mA의
피크 파장	λp는	CW,5mW@25℃	λc-1은	λc는	λc+1은	nm
파장 안정도	λs는	CW,5mW@25℃	0.1nm		+0.1	dB
모서리 억제비	SMSR	CW, 5mW	35	-	-	nm
스펙트럼 너비(20dB)	[알 수 없음] 965151 람다	CW, 5mW	-	0.2		nm / ℃
파장이 온도 변화에 따라 표류 계수	8 965151; 람다/T	안정 작업 전류		0.1		nm / ℃
파장이 전류 변화에 따라 표류 계수	λ/I	작업 온도를 안정시키다.		0.01		nm/mA의
열 저항	Rth는	Ttherm = 25 ℃	9.5	10	10.5	kΩ의

가스 흡수 참조표:

기체 성분	흡수파장
O2는	761nm, 764nm (VCSEL)
HF	1268.7nm, 1273nm, 1278nm
H2O는	1368.59nm, 1392nm
NH3는	1512nm
C2H2는	1532.68nm의
CO는	1567nm
H2S는	1578nm의
CO2	1580nm, 2.0um
C2H4는	1620nm, 1627nm
CH4는	1647nm, 1650.9nm, 1653.7nm, 1660nm
HCl은	1742nm의

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