쓰촨 쯔관-SOI 칩 광전 탐지기 어레이 신제품 발표

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사천재관광전과학기술유한회사

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날짜:2023-08-02읽기 :12

사천 재관 신제품 발표-SOI는칩 광전 탐지기 배열

SOI 칩 기반 광감지기 배열

SOI는실리콘 기반 게르마늄을 기반으로 한 칩식 광전 탐지기 어레이- 실리콘 광전 탐지기, 다중 채널 광전 탐지기의 단편화 통합, 슬라이스에 광학 믹서, 칩 크기가 작고 집적도가 높으며 편광 관련성이 작고 아날로그 대역폭이 커서 나체 또는 광전 일체화 패키지 제품 방안을 제공할 수 있다.이 제품은 우리 회사가 2023년 8월에 정식으로 가동되였는데 선택구매를 환영하며 구체적인 성능지표매개 변수는 다음과 같다.

〖 성능 지표사양 사양

매개변수 지표 매개 변수	단위 단위	최소 Min.	일반값 유형	최대값 맥스	비고 메모
파장 범위 파장 범위	nm	1530-1570 nm 또는 1270nm-1330 nm
암전류 어두운 현재	nA는	35		50
3dB 아날로그 대역폭 3 dB 대역폭	GHz의			28
광포화 전력 광학 포화 전력	mW	10
응답도 책임	A/W	0.8		0.85
90도 광학 믹서 손실 90°혼합기 손실	dB	6	6.5	6.7
90도 광학 믹서 위상 불균형도 90°mixer 단계 불균형	°	5
채널 수 채널 수		8 또는 사용자 정의 가능 8 또는 주문을 받아서 만들어질 수 있습니다
광섬유 접속 손실 삽입 손실	dB	≤0.5
편광 관련 손실 PDL은	dB	≤0.3
작동 온도 범위 작동 온도 범위	°C	-20		50
작동 습도 범위 작동 습도 범위	%			+65
칩 크기 칩 차원	mm	4 (L) ×5 (W) ×0.5 (H)

주문 정보O는주문 정보 주주문

ZG는

파장

채널 수

번호 또는 채널

유형

Ttype는

13=1310nm

15=1550nm

1 = 1CH

4 = 4CH

8=8CH

16=CH

48=48CH

XX=다른

1=PD

2 = 믹서

2=2 혼합기

XX=다른

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