소개

이 시리즈의 네 번째 부분은 전원 변환기 (특히 산업 및 자동차 분야에서 사용되는 전원 변환기) 가 스위치를 켤 때 발생하는 방사능 배출에 대한 몇 가지 견해를 설명합니다.

방사선 전자기 간섭(EMI는) 은 특정 환경에서 동적으로 발생하는 문제로 전원 변환기 내부의 기생 효과, 회로 레이아웃 및 부품 배열 및 런타임 시 전체 시스템과 관련이 있습니다.따라서 EMI를 방사하는 문제는 설계 엔지니어의 관점에서 일반적으로 더 어렵고 복잡하며 시스템 보드에서 여러 DC/DC 전력 수준을 사용할 때 특히 그렇습니다.방사선 EMI의 기본 메커니즘과 측정 요구 사항, 주파수 범위 및 해당 제한 조건을 이해하는 것이 중요합니다.이 문서에서는 이러한 측면의 내용을 중점적으로 소개하고 방사선 EMI 측정 장치와 두 DC/DC 강압 변환기의 결과를 보여줍니다.

근접 결합

그림 1은 노이즈 소스와 간섭 회로 사이의 기본 EMI 결합 모드, 특히 센싱 또는 H 필드 결합은 di/dt가 높은 시변 전류 소스와 두 개의 자기 결합 회로 (또는 반환 경로가 있는 평행 도선) 를 필요로합니다.다른 한편으로 용량이나 E장 결합은 dvd/dt가 비교적 높은 시변 전압원과 두 개의 인접한 금속판이 필요하다.이 두 메커니즘은 모두 근거리 결합에 속하며, 그 중의 소음원은 방해를 받는 회로와 매우 가깝기 때문에 근거리 탐지기를 사용하여 측정할 수 있다.

예를 들어, 최신 전원 스위치, 특히질화갈륨(GaN) 및 탄화규소(SiC) 기반 트랜지스터, 출력 커패시터 COSS는낮음, 그리드 전하 QG적은 수의 dvd/dt 및 di/dt 변환율로 스위치를 켤 수 있습니다.인접 회로에서 H장과 E장의 결합 및 교란이 발생할 가능성이 높다.그러나 상호감각이나 용량이 줄어들면서 결합구조의 간격이 커지고 근거리결합이 뚜렷이 약화되였다.

원거리 결합

전형적인 전자기(EM)파는 E장과 H장을 조합한 형태로 전파된다.방사선 안테나 소스 근처의 필드 구조는 복잡한 3D 모드입니다.복사원에서 더 분석하면, 원거리 영역의 EM파는 서로 직교하고 전파 방향과 직교하는 E장과 H장 분량으로 구성된다.그림 2는 EMI를 방사하는 주요 벤치마크를 나타내는 이 평면파를 보여주며 다양한 방사선 표준에 의해 구속됩니다.