박막 퇴적반도체의 주요 라이닝 재료에 필름을 도금한 것이다.이 막에는 절연 화합물인 이산화규소, 반도체 폴리실리콘, 금속동 등 다양한 재료가 있을 수 있다.도금하는 이 설비를 박막 퇴적 설비라고 한다.

반도체 칩 제작 공정의 경우 전면 공정에 있다.

박막 제조 공정그 성막방법에 따라 다음과 같은 두가지 류형으로 나눌수 있다.물리적 기상 침적(PVD)과 화학적 기상 침적(CVD),그 중CVD 공정 장비의 비중이 더 높습니다.

물리적 기상 퇴적(PVD)재료의 원표면을 기화하고 저압기체/플라즈마를 통해 기체표면에 침적하는것을 가리키는데 증발, 사출, 이온빔 등을 포함한다.

화학 기상 퇴적(CVD)기체를 혼합한 화학반응을 통해 실리콘 표면에 고체막을 한 층 쌓는 공정으로, 반응조건(압력·전구체)에 따라 상압 CVD(APCVD), 저압 CVD(LPCVD), 플라즈마 강화 CVD(PECVD), 고밀도 플라즈마 CVD(HDPCVD), 원자층 축적(ALD)으로 나뉜다.