설비 설계 최적화

포커스 링 설치: 포커스 링은 웨이퍼 가장자리 주변에 설치되어 웨이퍼 가장자리와 전극 사이의 높이 차이를 메울 수 있으며, 칼집 층을 더욱 평탄하게 하고, 이온이 웨이퍼 표면을 수직으로 폭격할 수 있도록 보장하며, 부식 왜곡 현상을 피하여 부식 균일성을 개선할 수 있다.

반응 기체 분포 최적화: 반응 기체의 주입 방식을 최적화하여 부식 균일성을 높인다.예를 들어, 실리콘 부식 캐비닛은 웨이퍼 주변에서 가스를 주입하는 방식에서 웨이퍼 중심 위에서 주입하는 방식으로 점차 변화할 수 있다.

상하극판 간격 거리 조정: 커패시터 결합 플라즈마 (CCP) 캐비티에서 음극과 양극 사이의 간격은 이온 통량의 균일성에 영향을 주는 핵심 매개변수입니다.일반적으로 간격이 작을수록 플라즈마의 균일성이 좋으며 조절가능한 간격기술을 채용하여 부동한 공정조건에 따라 이온통량분포를 최적화할수 있다.

구역별 온도 제어: 웨이퍼 온도는 각식 균일성에 영향을 주는 핵심 요소입니다. 정전기 카드 디스크 (ESC) 는 다른 가열 또는 냉각 영역을 도입하여 온도 균일성을 최적화할 수 있습니다. 예를 들어 초기 단일 구역 온도 제어에서 이중 구역 온도 제어, 4 구역 온도 제어로 발전할 수 있습니다. 심지어 100 개 이상의 부분 가열 부품을 배치하여 온도 제어 정밀도를 더욱 향상시킬 수 있습니다.

공정 매개변수 조정

기체 구성과 주입 방식을 최적화한다: 주요 반응 기체의 주입 위치를 조정하거나 서로 다른 위치에 조절 기체를 주입하여 웨이퍼의 기상 화학 환경을 통제하고 각식 균일성을 개선한다.

무선 주파수 출력 증가: 무선 주파수 출력을 적당히 높이면 입사 입자의 에너지를 증가시켜 목표 표면을 더욱 수직으로 폭격하여 측벽의 부식 속도 차이를 줄일 수 있으며, 마이크로 도랑 효과를 줄이고 부식 균일성을 높이는 데 어느 정도 도움이 된다.

간헐식 각식 실시: 주기적으로 각식 과정을 중단하고 전자에 충분한 시간을 주어 탈출하면 충전 효과를 현저하게 줄일 수 있으며 나아가 각식의 균일성을 높일 수 있다.

보상성 공정 제어: 어떤 단계의 부식 속도가 중심 영역에서 비교적 빠를 때, BevelEtch 기계를 사용하여 정확한 제어를 실현하는 등 가장자리 부식 속도를 증가시켜 보상할 수 있다.