GaNLED 어레이 제조: 샤먼중신징옌반도체유한공사는 NordsonMarchRIE-1701 플라즈마 식각 시스템을 사용하여 SF6 플라즈마를 사용하여 질화갈륨 (GaN) 발광다이오드 (LED) 어레이를 제조한다.2인치 사파이어 기반 GaNLED 외연 웨이퍼를 1cm × 1cm 칩으로 잘라 Cu를 마스크 재료로 자외선 광각을 통해 도안화한다.부식 과정에서 서로 다른 무선 주파수 전력과 캐리어 라이닝이 GaN 부식 속도에 미치는 영향과 부식으로 인한 표면 조잡도를 연구했다.결국 고밀도 LED 어레이를 만드는 데 성공했으며, 캐리어 라이닝을 추가하여 식각 균일성과 표면 거칠음을 높였고, 고온 퇴화를 통해 금속과 GaN 사이의 접촉 저항을 낮췄다.

첨단 칩 전면 공정 각식: 중미회사의 Primonanova®7나노미터, 5나노미터 및 더 선진적인 반도체 부품 부식에 응용되는 전감 결합 플라즈마 부식 설비.이 설비는 자주적인 지적재산권의 전감결합 플라즈마 각식 기술을 채용하여 완전히 대칭적인 반응강, 초고분자펌프 추출속도 등 혁신적인 설계를 가지고 있다.얕은 도랑 격리 부식 (STI), 폴리실리콘 그리드 부식 등 다양한 도체 부식 작업에 사용할 수 있습니다.간극벽각식 (SpacerEtch) 과 같은 매체각식에도 사용할수 있으며 칩제조에 더욱 넓은 공예창구를 제공하여 비교적 낮은 제조원가를 실현할수 있으며 이미 여러 고객생산라인에서 정상적으로 운행되여 량률이 안정되였다.

8인치 웨이퍼 그리드 부식: 8인치 웨이퍼의 그리드 부식 공정에서 GXS를 조합한 복합 시스템과 플라즈마 부식기를 조합한다.칩 파운드리 공장의 생산 데이터에 따르면, 이 조합은 부식 챔버의 진공도를 5 × 10 ⁻mbar로 안정시켜 SiO의 부식 속도를 1200 Å/min에 도달시키고 슬라이스 내 균일성 오차를 ≤ 1.5% 로 만들 수 있다.이전에 사용한 오일 펌프 방안에 비해 부식 후 결함률은 0.35% 에서 0.08% 로 낮아졌으며, 단일 설비의 연간 생산능력은 약 2300개 향상되었다.

반도체 구리 상호 연결 공정: 반도체 구리 상호 연결 공정에서 플라즈마 부식기를 이용하여 금속 산화층을 처리한다.특정 공정을 통해 산화층 잔류를 <0.5nm로 제어할 수 있어 공정의 질을 효과적으로 향상시켰다.웨이퍼급 패키지에서 이 공법을 사용한 후 양품률이 92% 에서 99.6% 로 높아졌다.