조명, 디스플레이, 백라이트 등 분야에서 LED는 에너지 절약, 장수, 높은 밝기의 우세로 주류 광원이 되었고, 그 성능과 품질의 핵심은 배후의 정밀하고 복잡한 가공 공정에서 비롯되었다.반도체 라이닝에서 최종 패키지 완제품에 이르기까지 LED 가공은 여러 가지 핵심 공정을 거쳐야 하며, 각 단계의 공정의 정밀도 제어는 LED의 발광 효율, 안정성 및 사용 수명을 직접 결정한다.이제 Mini/MicroLED와 같은 새로운 기술이 등장하면서LED 가공 공정"세분화, 집적화"방향으로 더욱 업그레이드하여 응용장면에 더욱 강한 버팀목을 제공해야 한다.​

LED 가공 공정의 가장 중요한 핵심은 외연 성장: 발광 기초를 다지는 것이다.외연성장은 반도체 라이닝 바닥에 LED 발광층을 성장시키는 핵심 고리로 현재 MOCVD 기술이 주류를 이루고 있다.이 공정은 고온, 고진공 환경에서 금속 유기화합물과 암모니아 가스 등 반응 기체를 라이닝 표면으로 정확하게 수송하여 성장 속도와 박막 두께를 제어하여 GaN 기반 양자 함정 구조를 형성해야 하는데, 이는 LED가 전광 전환을 실현하는 핵심이다.예를 들어, 블루레이 LED의 발광 효율을 높이기 위해서는 양자 함정의 층수와 함정 폭을 조절하여 전자와 공혈의 복합 효율을 최적화해야 한다;미니LED의 경우 외연층의 균일성 오차를 ±5% 이내로 통제해야 양산된 LED의 밝기 일관성을 확보할 수 있다.​

그 다음은 칩 제조: 핵심 구조를 정확하게 조각한다.외연편이 완성되면 광각, 각식, 도금 등 공정을 통해 LED칩의 전극과 전류 확장층을 제작해야 한다.광각 공정은 자외선을 이용하여 회로 도안을 외연편 표면으로 옮기고, 선폭 정밀도는 1~2μm에 달하며, 전극 배치가 균일하도록 확보한다;건식 각식은 플라즈마를 통해 여분의 외연층을 정확하게 제거하여 칩의 구조를 형성하고, 각식 깊이 오차를 ±0.1μm로 제어하여 발광층 손상을 피한다;증도공정은 칩표면에 금속전극을 퇴적하여 전류의 균일한 주입을 보장하고 전류의 혼잡으로 인한 국부적인 과열문제를 감소시킨다.마이크로LED의 경우 칩 크기가 100 μm 이하로 줄어들어 칩의 고밀도 통합을 위해 더 정교한 포토레지스트 장비와 역방향 용접 기술이 필요합니다.​

마지막으로 포장 공정: 보호와 성능 최적화를 모두 고려한다.LED 칩은 패키지를 통해 전기 연결, 기계 보호 및 광효율 최적화를 실현해야 하며, 서로 다른 응용 장면은 서로 다른 패키지 공정에 대응한다.조명 분야에서는 COB 공정을 자주 사용하며, 여러 개의 LED 칩을 금속 기판에 집적하여 실리콘 패키지를 통해 면 광원을 형성하며, 방열 효율은 전통적인 분리 패키지보다 30% 향상된다;디스플레이 분야의 MiniLED는 SMT 또는 COG 패키지로 고정밀 광학 렌즈를 장착하여 빛 각도 오차를 ± 2 ° 로 제어하여 디스플레이 화면의 선명도와 명암비를 확보합니다.또한 패키징 소재의 선택도 매우 중요합니다. 높은 투광률, 노화 방지 실리콘 또는 에폭시 수지를 사용하면 LED 사용 수명을 5만 시간 이상으로 연장하고 장기 사용으로 인한 광 노화 문제를 피할 수 있습니다.​

LED 응용이 다양화됨에 따라 가공 공정의 혁신은 멈추지 않았습니다.외연성장의 정확한 온도조절로부터 칩제조의 미축집성, 포장공예의 열방출최적화에 이르기까지 매 한걸음의 기술돌파는 모두 LED성능을 새로운 높이로 끌어올렸다.