사출 출력은 공정 매개변수의"심장"으로서 박막 성장의 초기 에너지와 밀도를 직접 통제한다.연구에 따르면 적당한 공률제고는 사출립자의 동력에네르기와 리화률을 효과적으로 증가시켜 기체의 얕은 표층에 더욱 깊이있게 박히도록 촉진하고 기계상호잠금 심지어 미확산층을 형성하여 결합력을 뚜렷이 증강시킬수 있다.그러나 너무 높은 출력은 만력의 충격과 같아서 잔여 응력의 축적을 유발하거나 인터페이스의 결함을 유발하여 오히려 결합력이 궤멸하는 개미구멍이 될 수 있다.

압력과 분위기는 박막이 생장하는"호흡환경"을 구성하여 립자의 평균자유거리와 화학반응경로를 세밀하게 조절통제하고있다.비교적 낮은 작업기압하에서 사출립자가 받는 충돌이 줄어들고 더욱 높은 에네르기를 휴대하고 기판에 도착하면 막층의 치밀도와 결합강도를 높이는데 유리하다.반대로 고기압은 입자의 에너지를 소모하고 막층이 푸석푸석하며 부착력이 자연히 약하다.더욱 정교한것은 반응기체 (예를 들면 질소, 산소) 의 도입이다. 금속표적재를 사출할 때 반응기체의 류량을 정확하게 통제함으로써 기판표면의 제자리에서 화학결합이 더욱 강하고 부식에 더욱 강한 질소화물 또는 산화물박막을 생성할수 있다.예를 들어, 적당량의 질소 침적 질화 알루미늄 필름을 도입할 때, 인터페이스에 형성된 화학 키는 순수 알루미늄 필름보다 부착력을 한 단계 향상시켰다.

기저온도는 박막이 생장하는"온도요람"과 같아 원자이동, 계면확산과 결정행위에 심각한 영향을 미치고있다.적당히 가열하는 기판은 마치 도착한 사출립자에게 온화한"워밍업장"을 제공하여 그 표면의 확산을 촉진하고 결함을 메우며 계면부의 원자의 상호확산을 불러일으켜 강인한 야금결합 또는 튼튼한 화학키를 형성할수 있다.실리콘 조각에 산화하프늄 박막을 퇴적하는 연구에 따르면 기저 온도를 실온에서 300 ° C로 올리면 박막의 부착력이 3배 가까이 높아지는데, 이는 더 나은 결정성과 더 긴밀한 인터페이스 접촉에 기인한다.물론 온도도 재료의 특성과 일치하여 열팽창계수의 차이로 인한 박리를 피해야 한다.

이밖에 편압을 가하는것은 기편측에 가하는"무형의 손"과 같으며 일부 이온을 끌어들여 생장중의 박막을 폭격함으로써 제자리에서 막층을 세척하고 치밀화하며 심지어 외연생장을 유도하는 역할을 할수 있으며 특히 비활성기체나 저온퇴적공예를 개선하는데 특히 효과가 뚜렷하다.

이론적 깊은 우물에서 응용 광역에 이르기까지 사출 출력, 기압 분위기, 기저 온도 등 핵심 매개변수에 대한 협동 최적화 연구는 더 이상 실험실의 고결한 자상이 아니다.반도체 업계에서 이러한 매개변수를 정확하게 제어함으로써 칩 내부의 나노급 상호 연결 필름의 강한 부착력과 매우 낮은 저항을 실현했습니다.항공엔진 분야에서는 이를 통해 얻은 강인한 열장벽 코팅이 날개의 환경에서의 안전을 지키고 있다.매번 공예창구의 교정은 모두 더욱 믿음직하고 더욱 능률적인 박막기술을 향한 매진이다.

미래를 내다보면 인공지능과 기계학습계산법의 침투에 따라 다매개변수의 복잡한 상호작용에 대한 시뮬레이션과 예측이 더욱 정확해질것이며 자체적응지능사출시스템이 탄생할수 있다.이와 동시에 조건하 (예를 들면 초고온, 강한 투사) 인터페이스의 결합메커니즘에 대한 탐색은 핵에너지, 심공탐측 등 분야에 길을 열어줄것이다.