1. 반도체 업계의 진공 밸브에 대한 핵심 수요

반도체 제조 과정은超高真空（UHV는), 높은 청결도, 입자 오염 없음환경에서 진행, 진공 밸브는 진공 시스템의 “스위치 및 조절기”다음과 같은 세 가지 핵심 요구 사항을 충족해야 합니다.①밀봉 성능 (누수율≤10⁻¹² 파・m³/s), 공기, 수증기 등 불순물의 침입을 피한다;②재질 호환 (무금속 오염, 낮은 방기율), 실리콘 조각, 포토레지스트 등 민감한 재료에 적합하다;③응답 속도가 빠르고 (밀리초급 스위치), 수명이 길며 (백만 회 이상 순환), 반도체 생산 라인의 높은 생산 능력 수요와 일치합니다.

2. 핵심 응용 장면 및 밸브 유형

1. 웨이퍼 제조 핵심 공정 고리

⑴광각 공예: 광각기의 진공 챔버는 유지해야 한다10⁻⁶~10⁻⁹ Pa의 초고진공, 채택전자기 구동각 밸브또는자기 유체 밀봉 브레이크 밸브, 챔버와 광각 광원, 마스크대의 진공 격리를 실현하는 동시에 밸브가 열릴 때 입자가 떨어지지 않도록 보장한다 (청결도클래스 1레벨).이밖에 밸브는 정확한 류량조절기능을 구비하고 진공흡기시스템과 배합하여 강실압력을 안정시켜 광각도안의 기변을 피면해야 한다.

⑵식각 공정 (건식 식각): 플라즈마 식각 챔버는 진공 밸브를 통해 반응 가스를 제어해야 합니다 (예:CF₄、O₂)의 액세스 및 배출, 일반공기압 박막 밸브또는전동 볼 밸브.이러한 종류의 밸브는 플라즈마 부식 (도자기 또는 하스 합금 밀봉면을 사용) 에 견딜 필요가 있으며, 스위치 동작은 기름 오염이 없으며, 반응 가스와 기름 오염 반응으로 불순물이 생성되는 것을 방지하고, 식각 정밀도에 영향을 준다.

⑶박막침적(PVD/CVD는）: 물리적 기상 퇴적(PVD는)의 사출강실, 화학기상침적(CVD는)의 반응강실, 필요진공 플러그 밸브또는나비 밸브강실 격리와 진공 흡입 전환을 실현하다.밸브는 빠른 진공 흡입 적합성(유도 계수를 갖추어야 한다≥1000 L/s), 동시에 재료는 공기를 적게 넣어야 합니다 (예:316L의스테인리스강 광택 처리) 자체적으로 방출된 기체가 박막의 순도에 영향을 주지 않도록 한다.

2. 진공 전송 시스템 (VTS는）

공정 장비 간 반도체 웨이퍼 전송은 진공 전송 캐비티(로드 잠금) 구현, 여기에서 진공 밸브 처리“대기 와 진공 을 격리 하다”주요 역할:①채택고속 진공 베젤 밸브, 구현로드 잠금강실의 빠른 진공 흡입 (대기압에서10⁻³ Pa단지30 초);②전송 캐비티와 프로세스 캐비티 사이의진공 격리 밸브, 제로 입자 탈락 설계를 갖추어 웨이퍼 표면 오염을 피해야 한다;③일부 생산라인 채택자기부상 밀봉 밸브, 무접촉 밀봉으로 마모 감소 및 수명 연장 200 만 회 이상.

3. 배기가스 처리 및 보조 시스템

반도체 공정에서 발생하는 독성 및 유해 가스 (예:Cl₂、HF) 진공 밸브를 통해 배기가스 처리 설비를 도입해야 하며, 이런 종류의 밸브는 갖추어야 한다내부식 밀봉 구조(예를 들어 불소고무 밀봉부품, 모넬합금 밸브), 배기가스 누출을 방지한다;

진공 공기 흡입 시스템 (분자 펌프, 확산 펌프) 과 공정 챔버 사이의전면 밸브, 강실 압력 돌연변이가 펌프체를 손상시키지 않도록 압력 보호 기능을 갖추어야 한다.

3. 반도체 업계 진공 밸브의 기술 추세

1.고청정도와 저입자화: 레이저 용접 밸브, 무윤활 밀봉 기술을 사용하여 밸브 내부 입자 발생량을≤1알/立方米（粒径≥0.1μm）；

2.지능형 및 원격 제어: 압력센서, 위치센서를 통합하여 밸브 상태의 실시간 모니터링, 고장 경보를 실현하고 반도체 생산라인의 자동화 관리 통제 수요에 적합하다;

3.소형화 및 통합화: 고급 패키지,마이크로 LED등 세분화된 분야에서 준중형 진공밸브를 개발하여 설비의 점용공간을 줄인다;

4.열악한 환경에 적합: 대상3nm및 아래 선진 공정, 내성 높은 온도 개발 (≥400℃), 누수 감소(≤10⁻¹⁵ Pa・m³/s)의 초고진공 밸브, 원자층 침적에 적합(ALD는) 등 정밀 공예.

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