연구 배경과 도전: 고효율 텍스처화 칼슘 티타늄/실리콘 중첩 태양 전지의 기술 병목 현상

1. 기술 잠재력과 산업 실천의 낙차

칼슘티타늄/실리콘 중첩 태양 전지는 이용할 수 있기 때문이다성숙한 실리콘 생산라인구현고출력 변환 효율 (PCE는) 학계와 산업계의 관심사로 떠오르고 있다.근년PCE는의 돌파는 주로 광관리 기술 최적화, 칼슘 티타늄 결정의 품질 향상과 결함 둔화, 공혈 선택성 자체 조립 단분자층 개발 및 칼슘 티타늄/전자 전송 계층 (C60은) 인터페이스 둔화 정책의 진전.

그러나 기존의 효율적인 둔화 정책은 대부분평면 기판의 용액 공정, 종종 실리콘 바닥 배터리에 대한객제화 처리(예: 추가 광택 또는 피라미드 크기 조정).이것과산업 표준 실리콘 기술채택된 랜덤 피라미드 형상 (높이> 1개의 μm, 칼슘 티타늄 두께를 훨씬 초과) 본질적인 충돌이 있어 효율적인 전략을 통합하기 어렵다텍스쳐 실리콘 기판。

2. 텍스쳐 레이어드 배터리의 핵심 과제

대형 텍스쳐 실리콘 기반텍스처 칼슘 티타늄/실리콘 중첩전지갖췄지만제조 비용 이점화우수한 광 관리 효과하지만 효과적인 칼슘 티타늄을 구현하고 있습니다/ C60인터페이스 둔화 방면에서 관건적인 기술 장애에 직면하여 평면 부품에 비해회로 전압 (VOC는) 초과 손실100 mV의。

3. 성능 손실의 전기적 메커니즘

심층 분석에 따르면 텍스쳐 레이어 배터리의 성능 저하는 다음과 같은 전기적 문제에서 비롯됩니다.

• 미스매치 효과: 칼슘 티타늄과 전자 전송층 사이의큰 테이프 오프셋 (ΔEC, ETL) 상단 접촉부의 캐리어 농도가 크게 불균형됨그리고 이 효과는 전체 칼슘 티타늄 부피로 확장됩니다.

• 인터페이스 복합 손실: 캐리어 농도 불균형으로 인한높은 인터페이스 복합율, 직접 발생 VOC는현저하게 떨어지다

• 전송 성능 저하: 흡수층 중등 캐리어 농도가 제한됐어내부 전도도, 심각한 캐리어 전송 및 선택적 손실을 초래,채우기 계수 (FF는) 성능 저하

연구팀 및 주요 성과

본 연구는독일 프라운호프 태양열 시스템 연구소(프라운호퍼 ISE)의오사마 에르라지교수와Stefan W. Glunz는教授, 그리고 압둘라 킹 테크놀로지 대학 (KAUST는)의Stefaan De Wolf은교수 공동 주도, 연구 성과 국제 저널에 발표 과학. 연구진은 획기적인 인터페이스 엔지니어링 전략을 성공적으로 제시하여 산업 표준 텍스처 칼슘 티타늄 광산을 대폭 향상시켰습니다./실리콘 레이어드 태양전지의 성능과 안정성.

주요 연구 전략

• 혼합식 2단계 칼슘 티타늄 퇴적 방법: 산업 표준 텍스쳐 실리콘 기판과 호환

• PDAI는표면 처리 기술: 도입1,3-다이아미노프로판 다이수소요오드화물은 칼슘티타늄광의 표면처리를 진행하여 칼슘티타늄광과 전자전송층(C60은) 사이의 도대 오프셋과 전체 칼슘 티타늄 흡수층 내에서 전자 축적을 유도

연구 성과와 기술 관전 포인트

그림 4D

• 핵심 혁신: 전자 누적의 심층 효과 둔화 메커니즘

• 기존의 인터페이스 둔화를 돌파하고 인터페이스 복합만 억제하는 제한을PDAI는전체 칼슘 티타늄 흡수층 내부에서 현저한 전자 축적을 유도하다

• 칼슘 티타늄 감소 성공/ C60인터페이스 테이프 오프셋 (ΔEC, ETL), 인터페이스 복합 손실 감소

• 칼슘 티타늄 흡수층 전도율을 현저하게 높여 캐리어 전송 손실을 대폭 줄이고 충전 인자 표현을 개선한다

• 부품 성능 이정표 돌파

• 전력 변환 효율 (PCE는）달 33.1%, 텍스쳐 레이어 배터리 최고

• 회로 전압 (VOC는）최대 2.01 V의, 과거 텍스쳐 소자 제거> 100 mV성능 저하

• 채우기 계수 (FF는）전송 손실 감소 전략의 유효성을 입증하는 현저한 향상

• 산업용 호환 아키텍처 성능은 현재 기록 유지 장치와 동일

• 우수한 안정성과 산업 응용 잠재력

• 얻다인증된31.6%안정PCE는, 실제 어플리케이션 가치 구현

• PDAI는처리는 이온의 이동을 억제함으로써 부품의 장기적인 조작 안정성을 현저하게 강화한다

• 홍해 연안의 덥고 습한 야외 환경 및 습하고 더운 테스트에서 뛰어난 성과를 거두었습니다.FF는화VOC는손실구 양호한 저항력

• 전략은 서로 다른 연구 기관 간에 재현성을 보여 산업화의 타당성을 증명한다

실험 절차 및 공정 절차

그림 4B

1. 텍스쳐 실리콘 바닥 배터리 제조

채택250 μm두껍다p타입 부동 실리콘 웨이퍼 (저항률1 Ω·cm），利用KOH는용액 은 공업 표준 양면 무작위 피라미드 의 무늬화 를 진행하여 형성된다1-4 μm고도의 피라미드 구조.오존습 화학 세척 후,PECVD는기술이 양면에 본징을 축적하다./비실리콘 혼합 둔화층 (~ 27 nm) 및 전면 및 후면 모두에 부착ITO는레이어 재구성 (20 nm) 및 전체ITO / Ag전극 구조.결국 웨이퍼 레이저를2.2 × 2.2 cm²또는2.5×2.5 cm²기판, 보존1 × 1 cm² ITO용접판은 활성 영역입니다.

2. 칼슘 티타늄 상단 전지의 혼합 퇴적 기술

실리콘 기판은 에탄올 세척과UV/오존 처리 후, 먼저 회전 도료 침적Me-4PACz는빈혈 전송층.칼슘 티타늄 흡수층 채택혁신적인 혼합식 2단계 증발/회전 도료 방법제조: (1)공증발PbI는₂/ CsX무기 뼈대 (~ 550 nm），(2)동적 회전 도료FAI/FABr유기 할로겐화물 용액 (소량의 요소 결정제 포함) 및 조정을 통해FABr/FAI는배율 제어 대상 밴드 갭 (1.67 또는1.70 eV）。완료 후 공기 중100°C어닐링 10 분.

3. PDAI인터페이스 둔화 정책 구현

칼슘 티타늄 광층 형성 후 도입핵심 혁신 기술-1,3-다이아미노프로판 다이수소 요오드화물(PDAI는) 서피스 처리。PDAI는클로로벤젠에 녹다/이소프로필알코올 혼합 용제 중 투과 가능회전 또는 침착방식 퇴적 (침착법은 양호한 확장성을 보여준다), 그 후100°C어닐링 3 분, 칼슘 티타늄 구현/ C60인터페이스의 심층 효과 둔화.

4. 전극과 광학층 구축

완료PDAI는처리 후, 순차적으로 진공 증발C60은전자 전송 계층 (18 nm），ALD는퇴적SnO는ₓ 버퍼 레이어 (15-30 nm，80°C), 차폐 사출 상단 투명 전도성 산화물 (ITO는또는정보), 증발Ag는상단 전극 (650 nm), 마지막 열 증발MgF는ₓ 반사 방지 레이어 (140nm）。모든 증발 공정은 석영 결정 마이크로 천평에 의해 정확하게 감시된다.

5. 안정성 평가 및 패키지

장기적인 안정성을 평가하기 위해PV실버 펄프와 배터리를 연결하여 산업용 패키지로 포장합니다.패키지에는 태양열 유리,TPU는포장제와PIB는가장자리 밀봉제, 전체가 진공층 프레스에 있다120°C처리 20 뛰어난 환경 보호 성능을 보장하는 분

연구 성과와 표징

준페르미 에너지 계단 분열(QFLS)영상 분석

QFLS는재료의 회로 전압 계량화에 사용(VOC)잠재력은 연구자들이 비방사성 복합 손실의 출처를 이해하고 서로 다른 제조 과정이 재료 성능에 미치는 영향을 평가하여 인터페이스 엔지니어링 및 재료 최적화에 대한 증거를 제공하는 데 도움이됩니다.

칼슘 티타늄 광박막의 준페미 에너지 단계 분열을 참고하다(iVOC)이미지 표시 공간의 변동성, 표준 편차(σ)위38 mV의, 평균은1.23 V의지나가다 PDAI는처리 후,iVOC는공간 균일성이 크게 향상되어σ다음으로 감소26 mV, 평균iVOC는증가20 mV의도달1.25 V의, 이것은PDAI는경미한 화학적 둔화 특성을 가지고 있다.퇴적하다C60은그런 다음 스택의iVOC는하강80 mV의에1.15 V의보다 넓게 배포(σ = 65 mV)하지만 PDAI는둔화된 스택iVOC는유지1.23 V의분포도 좁아(σ = 17 mV)。

그림 3A참조 및 표시PDAI는처리 후 칼슘 티타늄 박막의iVOC는영상.

재료를 정확하게 파악하기 위해서.QFLS는특징과 잠재력을 신속하게 평가하여Enlitech는의QFLS-Maper는준페르미 계급 분열 검측 기기는 이상적인 선택이다. 매우 빠른 속도로 (QFLS는영상이 없음 3 초,가짜 J-V커브 없음 2 분) 직관적인QFLS는이미지 시각화 및 측정iVOC는、가짜 J-V、PLQY는및EL-EQE는등 주요 매개 변수입니다.이는 연구일군이 재료효률의 한계를 신속히 예측하는데 도움을 줄수 있을뿐만아니라 더우기는 시각화방식을 통해 재료의 질과 준페미능계분포를 한눈에 보아낼수 있어 연구개발효률을 대폭 제고시킬수 있다.

J-V는커브 측정

태양 전지의 핵심 성능 매개변수를 직접 평가하는 데 사용됩니다.가짜J-V (가짜 J-V)곡선은 부품의 직렬 저항을 계량화하는 데 쓰인다(RS)및 전송 손실.

통과PDAI는정책, 부품의 PCE는에서29.1%다음으로 올리기32.3%, 여기서 VOC는에서1.83V다음으로 증가1.94 V의，FF는에서79.4%다음으로 업그레이드81.6%. 기록된 부품은 더욱 33.1%의PCE는화2.01 V의의VOC는。

가짜J-V는측정 디스플레이,PDAI는처리 후 거짓 채우기 계수(pFF)실제FF는의 차이는 참조 부품의6%다음으로 크게 감소3%. 동시에,전력점(MPP)의 직렬 저항(RS)또한 6 옴-평방 센티미터를 3 옴-평방 센티미터. 이것은PDAI는주로 캐리어 밀도를 조절하여 감소RS는의 비 옴 기여로 전송 손실이 줄어듭니다.

그림 4D 레이어드 태양전지를 보여드렸는데요.J-V는커브, 해당PCE는도달33.1%，VOC는위2.01 V의이 연구는 성능에 있어서 이 연구전략의 돌파구를 보여주었다.

그림 3E 참조 및PDAI는레이어드 태양전지의J-V는, 가짜J-V는및 유도J-V는커브, 시각적 표시PDAI는어떻게 축소했나pFF는와FF는간의 차이는 전송 손실을 줄이는 데 있어 유효성을 증명한다.

그림 S17A 추가 지원PDAI는처리 및 없음PDAI는정방향 및 역방향 스캔 아래의 처리 소자J-V는커브와 상세한 태양광 매개변수는PDAI는에서VOC는、FF는화PCE는상승.

정확한J-V는곡선 측정, 특히 칼슘 티타늄과 같은 차세대 태양 전지에 대한/실리콘 레이어 배터리,Enlitech는의 SS-X AM1.5G는표준 스펙트럼 태양광 시뮬레이터 제공 가능A+레벨 스펙트럼 정밀도와 우수한 안정성.배합 IVS-KA6000의종합 테스트 소프트웨어, 양방향 실행 가능/역방향IV스캔 및 다중 채널 테스트NREL은점근 체크 기능.SS-X는결합SS-IRIS는스펙트럼을 변경하지 않고 광도를 자동으로 조정하는 기술선-Voc등 복잡한 테스트.

EQE는측정

측정은 서로 다른 파장의 빛에 의해 태양 전지의 전류 수집 효율을 확인하고 중첩 전지의 각 하위 전지 간의 전류 일치 상황을 평가하는 데 사용됩니다.

PDAI는처리 후, 부품의 단락 전류 밀도(JSC)변하지 않다, 이 결과는EQE는반사율 측정 결과와 일치합니다.연구팀은 또한 칼슘 티타늄 벨트를 통해1.67 eV다음으로 조정1.70 eV더 나은 전류 매칭을 위해 부품 성능을 더욱 향상시킵니다.EQE는곡선의 안정성도 부품의 장기적인 안정성이 영향을 받지 않는다는 것을 간접적으로 증명했다.

그림 S17B 참조 및PDAI는부품의EQE는측정 결과, 두 스펙트럼 응답 곡선이 유사하여 지원됨JSC는일관된 관찰을 유지하다.

그림 S17C 그에 상응하는 반사율 측정 결과를 보여 광학 관리 방면의 비교성을 한층 더 검증했다.

그림 S23A 다른 대역 갭 (1.67 eV화1.70 eV) 부품의EQE는측정, 밴드 갭 조정이 전류 일치에 도달하기 위해 칼슘 티타늄 광자 전지의 스펙트럼 흡수 가장자리에 어떻게 영향을 미치는지 강조했다.

Enlitech는의 QE-R는양자 효율 측정 시스템 태양광 연구에서 신뢰할 수 있는 도구로, 그 중복성과 정밀도로 광범위하게 응용된다 500 태양광 연구실과1,000다편SCI는논문 인용,"자연","과학"등 기함 정기간행물을 포함한다.QE-R는시스템은 특히 칼슘 티타늄을 포함한 다결 태양 전지의 양자 효율을 정확하게 측정할 수 있는 이중 독립 자물쇠 증폭기를 설계했다/실리콘 중첩 태양 전지.제공EQE는、IPCE는、SR는、IQE는및 반사율 등 다양한 데이터와 전류 적분 계산이 가능하다.

UPS는와AM-KPFM측정

자외선 전자 스펙트럼(UPS)박막 분석에 사용되는 공함수(Wf)및 이온 전위(IP), 칼슘 티타늄 연구/ C60인터페이스의 리본 정렬.진폭 변조 켈빈 프로브력 현미경(AM-KPFM)공함수 변화를 검증하고 표면 전위 분포의 균일성을 관찰하는 데 사용된다.

UPS는측정 디스플레이,PDAI는둔화 후의 칼슘 티타늄 박막 기능 함수(Wf)참고 견본보다 증가하였다270 메이보트(에서4.49 eV증가4.76 eV)이온 전위(IP)의 변화는 짝극의 형성을 나타낸다.이런 짝극 형성은C60은인터페이스의 오프셋은 참조 샘플의180 메이보트최소화70 MeV。AM-KPFM결과도PDAI는처리 후의 표면 전위 분포가 더욱 균일하다.

그림 2A 참조 및PDAI는박막의 2차 전자 마감 영역을 처리하는UPS는측정 결과.

그림 2C 참조 및PDAI는박막 처리 및C60은의 다이어그램입니다.

그림 S9G 통해AM-KPFM측정 결과 참조 및PDAI는박막의 공함수 분포를 처리하다.

DFT는계산

계산은 이론적 차원에서 깊이 이해하는 데 쓰인다PDAI는분자는 칼슘 티타늄 표면에서 짝극의 메커니즘과 그 방향을 형성한다.

DFT는계산 게시PDAI는분자 보유 8.27 D의 짝극 모멘트. 연구 결과,PDAI는유기적으로 풍부한 칼슘 티타늄 표면 (본 연구에 사용된 혼합 증발/회전 코팅 방법으로 생성된 표면) 이 상호 작용할 경우방향을 유도하다C60은의 양극따라서 함수가 증가합니다.이는 실험에서 관찰한 공함수 증가 추세와 일치한다.

그림 2D 표시PDAI는분자의 화학 구조와 정전기 에너지 그래프.

그림 2F 보여줬어PDAI는및 유기적 터미널MAPbI3는상호작용 후의 최적화 구조와 감응 전하 밀도 차이.

그림 2G 구현PbI2는터미널 및MAI-터미널MAPbI3는유무PDAI는경우의 계산 함수.

시간 분석PL (TRPL)순식간 흡수 스펙트럼(TA)

시간 해석 광학 발광（TRPL）인터페이스 전하 이동 및 인터페이스 전하 복합을 해결하는 데 사용되는 경쟁 프로세스를 측정합니다.순식간 흡수(TA)스펙트럼은 납초 시간 척도의 캐리어 동력학과 비발사 함정 상태 신호를 상세히 연구하는 데 쓰인다.

포함C60은의 참고 샘플, 그 미분 수명은~ 1 μs플랫폼에 도달하는 시기, 없는 것에 비해C60은의 참조 샘플은 계면 복합이 동력학을 주도했음을 나타내는 수량 레벨을 줄였습니다.대조적으로,경PDAI는처리 및 포함C60은의 스택은 미분 수명 플랫폼 기간을 대략~ 10 μs, 없음C60은현재~ 13 μs, 이는대상 스택의 인터페이스 복합성 대폭 감소。TA는측정 결과는 시료에 존재하는 장수명 얕은 함정 캐리어 신호를 참고하여PDAI는처리 후 사라집니다.PDAI는프로세스 참조/ C60스택의TA는대극 표백 가중 평균 캐리어 수명27 ns다음으로 증가53 ns, 확인VOC는개선의 주요 원인은 인터페이스 복합의 감소이다.

그림 3B 참조 및 표시PDAI는박막 처리 시간 분석PL는감쇠 곡선.

그림 3D 순식간 흡수 측정에서의 참조 및PDAI는박막의 대극 표백 감쇠 곡선을 처리하다.

태양 VOC측정

회로 개설 조건 하에서 진행하여 전하 추출, 획득한 위조를 피하다J-V는커브는 전송 손실이 없는 것으로 간주되며 총 직렬 저항을 계량화하는 데 사용됩니다.(RS)。

측정 결과 거짓 채우기 계수는(pFF)유지85%변하지 않지만 pFF-FF차이는PDAI는둔화 부품 중 참조 부품의6%다음으로 감소3%. 따라서 전원 포인트에서(MPP)의 직렬 저항(RS)계산치가 현저하게 떨어지고,에서 6 옴-평방 센티미터가 내려가다 3 옴-평방 센티미터. 운영 전압에 따라 평가RS는, 대상 부품이 더 작은 기울기를 나타냄, 강조PDAI는주로 캐리어 밀도를 조절하여 낮춤RS는의 비옴 공헌.

그림 3E 참조 및PDAI는레이어드 태양전지의J-V는, 가짜J-V는및 유도J-V는커브

그림 S14 참조 및PDAI는다른 작동 전압에서 프로세서의RS는커브

편압 보조 전하 추출(BACE)측정

태양전지에서 이동하는 이온의 농도를 계량화하는데 사용되는데 이는 칼시움티타늄광부품의 장기적인 조작안정성을 리해하는데 있어서 극히 중요하다.

안정성 테스트 후,참조 부품의 이동 이온 농도(6.5 × 10^17 cm)⁻³)대상 장치(2.6 × 10^17 cm)⁻³)거의 3배. 이것은 참조 부품이 분해를 가속화하는 명확한 원인일 수 있습니다.결과 표시, 경PDAI는변성의 칼슘 티타늄/ C60인터페이스는 이온 이동을 효과적으로 고정하여 부품의 조작 안정성을 강화할 수 있다.

그림 S26A, B 대표적인 참조 태양전지와PDAI는둔화 태양전지는 안정성 테스트 전후의BACE는측정 결과.

기타 표징

실외 안정성 및 습열 테스트 실제 운영 환경에서 부품의 장기적인 신뢰성을 검증합니다.PDAI는둔화 부품은 홍해 연안 야외 환경에서 안정성을 보여주며 습열 테스트 중PCE는초기 성능에 대한 보존율73.7%다음으로 올리기83.4%, 대폭 향상FF는와VOC는항감쇠 능력.(그림 4F, 그림 S27)

X방사선 광전자 스펙트럼 (XPS는） 확인PDAI는분자가 칼슘 티타늄 표면에서의 성공적인 흡착과 화학적 상호작용.감지되다PDAI는분자 특징 신호,C-N키 신호 향상,N 1s는、Pb 3D는화3D핵심 에너지 레벨에서 낮은 결합 에너지로 변위, 확인PDAI는칼슘 티타늄 표면과 효과적인 상호작용을 일으킨다.(그림 S5A-D)

구조 표징(XRD, GIWAXS, 줄기） 검증PDAI는처리는 칼슘 티타늄 결정 구조의 완전성에 영향을 주지 않는다.시스템에 저차원 칼슘 티타늄 광상이 형성되지 않았음을 확인하고,3D칼슘 티타늄 구조는 인터페이스에서 변하지 않고,PDAI는처리는 칼슘 티타늄 형태에 뚜렷한 영향을 미치지 않는다.(그림 S6A-G, 그림 S7C-E)

스캔 전자 현미경 (SEM은） 부품 횡단면 형태 및 칼슘 티타늄 박막 표면 구조를 관찰하다.각 층의 구조가 뚜렷하고PDAI는첨가는 칼슘 티타늄 표면관 결정 입자의 사이즈 변화를 초래하지 않고 양호한 박막 공형성을 유지한다.(그림 4B, 그림 S8A-B)

테라헤르츠 스펙트럼 및 공간 전하 제한 전류(SCLC는） 캐리어 이동률과 결함 밀도를 측정하고 전도도 향상 메커니즘을 이해한다.캐리어 마이그레이션 비율이 비슷한 수준으로 유지됨 (16.5-18.5 cm²/Vs), 전자 농도 강화는 직렬 저항 감소의 근본 원인이며, 결함 밀도는1.55×10^15하강1.15×10^15 cm^-3。(그림 S15, 그림 S16A-B)

연구 결론과 성과 총결

연구 성공 개발 기반1,3-다이아미노프로판 다이수소 요오드화물(PDAI는）의 둔화 전략, 산업 표준 텍스처 실리콘 기반 칼슘 티타늄 광산의 현저한 향상/실리콘 레이어드 태양전지의 효율과 안정성.

기록적인 부품 성능

부품 구현33.1%광전 변환 효율 (PCE는） 화2.01 V의회로 전압 (VOC는）, 여기서인증 안정 상태PCE는달31.6%.이로 인해 텍스쳐 실리콘 기반 접이식 배터리의 성능은 현재 평면형 접이식 배터리의 기록과 동일하며, 복잡한 산업 기판에서 고효율 둔화의 타당성을 증명하고, 높은 표면적에 따른 둔화 도전을 극복했다.

핵심 혁신: 심층 효과 둔화 메커니즘

PDAI는통과 함수 공학 칼슘 티타늄에서/ C60인터페이스 유도 양극 모멘트,테이프 오프셋 (ΔEC, ETL) 참조 부품의180 메이보트대상 장치의70 MeV.핵심 돌파구는'심층 효과 둔화'에 있다 전자 적립을 다음으로 확장전체 칼슘 티타늄 흡수층체 재료, 흡수층 내의 평균 전자 농도를 시뮬레이션에서1×10^14다음으로 올리기4×10^15 cm^-3현저하다흡수층 의 전도성 을 높이고 캐리어 전송 손실 을 감소 시켰다, 채우기 계수가 됩니다 (FF는) 주요 구동력 개선.

우수한 장기 안정성

부품은 홍해 연안의 야외 환경에 있다 연속 운영 초과1000시간 동안 안정적인 출력, 습열 테스트(85°C, 85%RH, 1000시간) 중,PCE는초기 성능에 비해보존율73.7%다음으로 올리기83.4%。PDAI는유효한 처리고정 칼슘 티타늄/ C60인터페이스의 이온 이동, 이동 이온 농도를 대폭 낮추어 부품의 운행 안정성을 근본적으로 개선했다.

공업화 응용 잠재력

이 정책은 산업과 호환됩니다.혼합 2단계 퇴적법일치하며 큰 피라미드 사이즈의 텍스쳐 실리콘 기판에 적용됩니다.검토가 통과됨침도법퇴적PDAI는의 확장성, 그 작용 메커니즘은 여러 종류의 칼슘 티타늄 광물 조성물에서 모두 성공적으로 성능을 향상시킬 수 있다.

문헌 참조: Science_DOI: 10.1126/science.adx1745

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